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《西南交通大学》 2002年
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轻、中稀土元素掺杂对TbFeCo材料磁光性能的影响

周世杰  
【摘要】: 磁光存储是信息存储技术中一个有潜力的新领域,磁光存储技术的改进对大容量、高密度可擦除信息存储要求具有重要意义。TbFeCo作为第一代磁光盘材料,已满足了部分市场需要。但在更高密度磁光记录方面,由于信息记录与读出采用短波长半导体激光管,磁光记录材料的克尔旋转角比长波长时小,导致记录信息的信噪比下降,给信息读出带来困难,为此将对材料进行改性。本文是在比较、总结现有关于TbFeCo磁光薄膜的理论和背景研究的基础上,利用轻、中稀土元素的高饱和磁化强度、高磁晶各向异性、高磁光效应的优点,提出在传统的TbFeCo磁光材料中掺入轻、中稀土元素的方法。并探讨了掺杂元素对薄膜磁光性能的影响规律及机理,分别对掺杂后的磁光材料进行优化设计,形成系列磁光记录介质材料。对轻、中稀土掺杂的Tb-Fe-Co系列磁光薄膜材料进行丁磁光性能和成分的测试,结果表明:在掺杂元素含量较小时,掺杂后的Tb-Fe-Co磁光材料具有较好的磁光性能,Kerr转角θ_K和矫顽力Hc都有所改善,掺杂元素的含量应严格控制,不能超过一定限度,一般一般掺入量应庄10at%左右。掺杂后的记录材料既保持了原有介质的特性,仍为非晶态垂直各向异性薄膜,记录时不存在晶界噪声,具有垂直于膜面的磁晶各向异性,实现垂直磁化;在此基础上,掺杂后的薄膜,克尔角有了提高,垂直各向异性增强,能更好地满足磁光盘记录介质材料的性能要求,并利用掺杂降低了材料的制造成本。
【学位授予单位】:西南交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2002
【分类号】:TP333.4

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