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《电子科技大学》 2011年
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SiC器件宽带功率放大器设计

王玺  
【摘要】:功率放大器是电子系统的关键模块,第三代半导体材料SiC以其功率密度大、宽禁带的性能,可用于制作大栅宽SiC MESFET功率器件。 本文应用我国最新研制的大栅宽SiC MESFET,基于功率放大、宽带匹配以及功率合成的相关理论,设计了L波段的大功率宽频带功率放大模块,包括一个AB类单管功率放大器和一个AB类两路功率合成放大器。首先用HFSS仿真软件对SiC MESFET的封装管壳和键合金丝进行了建模仿真,将管壳模型和SiC MESFET的管芯模型合成为完整的封装SiC MESFET器件模型。接着根据完整的封装SiC MESFET器件模型,解决了0.8GHz到1.6GHz一个倍频程的宽带大功率放大器设计的难题,设计出了0.8GHz到1.6GHz的单管功率放大模块。测试结果表明,此功率放大模块最大输出功率在1000MHz频点可以达到32.1W。在单路放大模块的基础上,本文设计了0.8GHz到1.6GHz频带的功率合成网络,并制作了一个此频带内AB类两路功率合成放大器。
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN722.75

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【参考文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
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中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【共引文献】
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【相似文献】
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中国博士学位论文全文数据库 前1条
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