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《电子科技大学》 2011年
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TD-LTE终端数字基带处理器外发射机的设计

梁达成  
【摘要】:LTE(Long Term Evolution,长期演进)项目是3G的演进,它的标准已经完成。这个标准采用了OFDM、MIMO等先进的无线传输技术,支持最大20MHz的系统带宽,超过200Mbit/s的峰值速率和更短的传输延时。而我国致力于推广的基于TD标准的移动通信体系,因此设计TD-LTE手机终端的研究有着重要的实用价值和应用意义。 外发射机是TD-LTE数字基带处理器设计的主要内容之一,它完成了LTE上行发射链路的信道编码以及相关功能。包括了LTE协议中的物理PUSCH信道和PUCCH信道编码,信道交织,加扰和调制。PUSCH信道编码包括数据信息和控制信息两个部分。PUCCH信道主要负责控制的信息的传输。 本文介绍了整个外发射机的构架设计和RTL实现,本设计完全符合3GPP相关协议要求。实现了8位并行的CRC,8位Turbo编码、8比特输入4比特输出的速率匹配、基于符号信道交织、加扰和调制方法。在系统工作频率为200MHz时处理最大子帧长度75376bit仅需要275us,完全符合LTE UE最高能力级别5的设计要求。同时,外发射机使用了AMBA高性能总线作为模块的接口。其中AXI master用于数据传输,APB slave用于寄存器操作。 接着本文对该外发射机模块和其接口进行了RTL验证。其中发射机部分使用了参数遍历测试,完成了总计超过120万个测试向量的验证工作。AMBA接口的验证采用了Synopsys公司提供的VIP和协议监视器进行。 最后文章介绍了外发射机的硬件实现,其中包括FPGA原型验证平台和处理器的前端综合,并在整个FPGA原型验证平台上进行了TD-LTE基带信号上行发送过程的联合调试,最终的译码数据和罗德斯瓦茨矢量信号发生器的译码数据进行对比,结果一致。最后对该模块使用TSMC 65nm COMS工艺进行了综合,面积为1.5mm2,并对综合后的网表进行了仿真验证,为TD-LTE基带处理器的后端设计和最后的流片提供了所必需网表。
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN929.5;TN830

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【引证文献】
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