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《电子科技大学》 2013年
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一种强抗闩锁IGBT的设计

李长安  
【摘要】:绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是非常重要的一类电力电子器件,能很好应用于多种领域。我国对IGBT的需求量很大且增长迅速,但国内IGBT的研究起步较晚,虽然最近几年取得了一些重大突破,但是产品仍然存在品种单一、可靠性不足的缺点,因此对IGBT的研究意义十分重大。 本文首先介绍了IGBT基本原理和三大特性(阻断特性、导通特性、开关特性),然后以提高IGBT的抗闩锁能力为目标,分析IGBT闩锁的原理,介绍了多种常见的抗闩锁设计,提出了一种具有二氧化硅阻挡层的新型抗闩锁IGBT。新型IGBT原理是在P-base下方引入一段“L”形的二氧化硅,来限制空穴电流的流动,提高IGBT的抗闩锁能力。以600V电压为例,对这种新型IGBT的内部元胞参数和二氧化硅阻挡层参数,分别进行了理论分析和仿真优化,仿真结果表明新型IGBT的抗闩锁能力大大优于传统IGBT。文中最后还对新型IGBT的工艺步骤进行了设计,提出了一种可行的生产方法。 由于受限于国内加工条件,该结构的后续工作主要是针对国内生产线的特点,找到更适合加工的制作方法,并进行流片。
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2013
【分类号】:TN322.8

【参考文献】
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