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《电子科技大学》 2008年
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六硼化镧场发射阵列阴极制备工艺与测试

董建康  
【摘要】: 以场致发射理论为基础的真空微电子器件,因其具有体积小、功耗小、电压低、速度快、抗辐射及工作温度范围宽等显著的特点而倍受人们的关注。场发射阴极是真空微电子器件的核心,其性能的好坏将直接决定着场发射器件的总体性能。近些年通过众多研究者的不断努力,场发射阵列阴极的结构,阴极材料和制备工艺等方面都有长足的进步。 场发射阵列阴极中应用最为广泛的是场发射尖锥阵列,在制备场发射阵列阴极时,必须考虑到材料的功函数、电导率、密度、热稳定性、化学稳定性等因素对其发射性能的影响,同时要考虑材料对加工工艺上的要求。目前,场发射阴极材料多种多样,但都存在逸出功大,稳定性及均匀性不理想,发射性能低等方面的问题。与之相比,六硼化镧(LaB6)材料由于具有良好的热稳定性和化学稳定性,具有较低的功函数、较高的导电率以及活性阴极表面,因而成为制备场发射阵列阴极的理想材料。在场发射阵列阴极制备方面,现阶段比较成熟的有Spindt实验室制作的钼尖锥场发射阵列,和采用氧化削尖工艺的硅尖锥场发射阵列,两种场发射阵列阴极的制备各有特点但不尽相同。他们的共同点是都采用硅作为基底材料,具有工艺相对简单且与大规模集成电路技术兼容,可以大规模生产等特点。实验首先采用在常规Spindt型阴极制备工艺的基础上制作具有亚微米栅极孔径的鸟嘴型六硼化镧尖锥场发射阵列阴极,这一工艺采用硅的局部氧化工艺来制备栅极绝缘层,并利用硅的侧向氧化使栅极孔径降到亚微米级别,通过固定角度蒸发金属铝来制备牺牲层,电子束垂直蒸发多晶六硼化镧形成尖锥阴极,成功的制备出了尖锥曲率半径为25nm的六硼化镧尖锥场发射阵列阴极,实验中发现这一工艺中存在最大的问题是栅阴极之间的短路问题,为解决这一问题,在结构不变的情况下进行了大量的实验,实验虽能制备出栅阴极之间绝缘性好的场发射阵列阴极,但实验可重复性差,并且在测试中很容易短路。因此实验随后采用另一种方案来制备场发射阵列阴极,它是采用常规Spindt型阴极的制备工艺来制备亚微米栅孔孔径的六硼化镧场发射阵列阴极,并将制备得到的场发射阵列阴极进行封装和测试。 论文主要围绕两种结构的场发射阵列阴极制备工艺,并对刻蚀工艺,真空镀膜工艺,场发射阵列阴极的封装、老炼和测试进行了重点研究。设计制作了场发射测试装置,测试电路,对六硼化镧场场发射阵列阴极进行了测试,对实验现象和数据进行了详细的分析和讨论,指出了存在的问题,并提出了改进方法。
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:TN105

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