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《昆明理工大学》 2002年
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HgCdTe光伏器件表面钝化以及MIS器件制备与分析

张朝阳  
【摘要】: 在对HgCdTe光伏器件的表面钝化进行了综述的基础上,重点研究了HgCdTeMIS器件制备中的关键工艺、对MIS器件的性能进行了分析测试、解决了工艺中的几个关键问题(如焊接方法、电极膜种类等)。成功制备了HgCdTe MISFET器件并获得了MISFET器件输入、输出特性,确定了MISFET器件类型,对MISFET的基本参数进行了计算。主要的实验结果有: 首先,用体材料和薄膜材料制备成功HgCdTe MIS器件,经过测试得到器件平带电压在2V以内,界面电荷密度在10~(10)~10~(11)量级。 第二,对HgCdTe MIS器件衬底材料反型的原因进行了分析,认为可能是由于ZnS界面电荷密度过大,吸引了材料体内的电子到界面处而形成反型。 第三,制备的MIS器件均匀性、时间稳定性都比较好。 第四,制备成功HgCdTe MISFET器件,对器件的测试表明获得了好的输入、输出特性。拟合MISFET的转移特性曲线,经分析认为:制备器件类型为N沟道增强型MISFET。 第五,计算得出MISFET的跨导g_m为:在V_(Ds)=0.02V(非饱和区),器件跨导为g_m=6.317×10~(-6)S;在V_(DS)=0.12V(饱和区),器件跨导为g_m=1.184×10~(-5)S。 第六,对MISFET的漏源电导gds进行了计算得到:在V_(Ds)=0.02V(非饱和区),V_(GS)=7V时,g_m=1.1286×10~(-3)S。 最后,对电压放大系数μ进行了计算,用理论计算和用输入、输出特性得到的电压放大倍数μ相近,最后得到的非饱和区的电压放大系数μ=5.467×10~(-3)。
【学位授予单位】:昆明理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2002
【分类号】:TN256

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