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《西北工业大学》 2001年
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Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的缺陷分析与退火改性

张晓娜  
【摘要】: 生长态的CdZnTe晶体内常常存在各种缺陷,包括点缺陷、位错、Te沉淀相 和Zn的成分偏析等。缺陷的大量存在使晶片不能满足作HgCdTe外延衬底的要 求,希望通过退火来达到改善晶片性能的目的。 本文首先研究了晶片的腐蚀过程,观察随腐蚀程度的逐渐加深,晶片表面缺 陷蚀坑形貌的变化。实验发现:晶界和沉淀相蚀坑的出现要先于位错蚀坑的出现。 对晶片内各种缺陷和性能进行了分析、测试,主要包括显微结构的观察、红 外透过率的测定、摇摆曲线的测定和成分分析。对晶片的质量做了全面、客观的 评价。不同晶锭上切下来的晶片性能差异较大,同一晶片上不同位置处的晶片性 能也不相同。同一种缺陷往往表现出不同的形貌,而且往往几种缺陷伴生出现, 排列成不同的花样。 在对晶片性能和缺陷分析的基础上,采用两阶段退火方法对晶片进行了退火 处理,对比了晶片退火前后性能的变化。最为明显的变化是晶片红外透过率的提 高,摇摆曲线半峰宽的加宽和Te沉淀相形态的改变。退火后晶体表面出现了一 种类似孪晶界的缺陷。 改变退火参数做了多次退火实验,分析了不同退火条件(包括退火时间、 退火温度以及冷却条件)对退火效果的影响。 在退火工艺中,一种低温退火工艺因其高的红外透过率和很小的摇摆曲线半 峰宽引起了我们的注意。
【学位授予单位】:西北工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2001
【分类号】:O77

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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【共引文献】
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中国博士学位论文全文数据库 前8条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前5条
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