收藏本站
《西安理工大学》 2001年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

烧结炭化硅晶体的制备、结构及光致发光特性

杭联茂  
【摘要】:碳化硅是一种具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高的热导率以及高的 临界击穿电场等优异特性的新型半导体材料。利用碳化硅的宽禁带特征,已有 研究者将其用于制成蓝色发光二极管。但由于碳化硅为间接带隙半导体材料, 其发光效率十分低。而同样为间接带隙的晶体硅在多孔化后,不但其发光光谱 从近红外进入可见光区,发光效率也得到显著提高。加之,在粉末冶金工业中, 常常采用烧结工艺来制备多孔材料。所以,本文试图采用烧结工艺来制备多孔 碳化硅并对其光致发光特性进行研究。 本文对经过压制成型的碳化硅粉末(压坯),采取两种方法进行烧结。一 种是直接烧结,即把压坯放入石墨坩埚中在真空条件下进行高温(1600℃~ 2000℃)烧结10小时;另一种是在硅熔体中烧结,即先把压坯放入内壁覆盖 有一层碳化硅的石墨坩埚中,然后给压坯上覆盖一硅片在Ar气气氛中进行高 温 (1600℃~2000℃)烧结 4小时。 采用X射线衍射、Raman散射和扫描电子显微镜对烧结样品结构进行了分 析,结果表明烧结材料为多孔或类多孔材料,其主要成分为 6H-SiC 和 3C-SiC。 在10K~300K的温度范围内,对所有样品的光致发光谱进行了测量。用碳 化硅粉直接烧结的所有样品在室温下呈现出形状相似的光致发光谱:在2.4eV 的位置出现一发光主峰,在2.7eV 附近出现一微弱的肩峰。而且样品的烧结温 度愈高,其发光强度愈小,测量温度愈低,发光强度愈大,同时 2.7eV 处的微 弱的肩峰在低温下变得更明显。所有在硅熔体中烧结的样品在室温下发出较强 的绿色光致发光,其峰值能量在2.35eV附近,而且压制压力愈大,发光强度 愈大,烧结温度愈高,发光强度愈小。2.4eV 和 2.35eV 附近的发射峰来自缺 陷态的发光,2.7eV 附近的发射峰与氮掺杂有关。
【学位授予单位】:西安理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2001
【分类号】:TN304.24;TN305

【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 刘广荣;;高纯度碳化硅晶体将引发电子业革命[J];半导体信息;2005年03期
2 ;高纯度碳化硅晶体将引发电子业革命[J];电子元器件应用;2004年12期
3 郑冬冬;;上海硅酸盐研究所自主研发的碳化硅晶体炉开始小批量生产碳化硅晶体[J];半导体信息;2011年03期
4 杨莺;陈治明;;湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌[J];人工晶体学报;2008年03期
5 陈贵荣;龙志强;尹力明;陈顺良;;计算机控制碳化硅配料系统[J];计算技术与自动化;1993年03期
6 贾护军;杨银堂;柴常春;李跃进;;4H-SiC在Cl_2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究[J];真空科学与技术学报;2006年06期
7 Milmega Lad;;碳化硅系列UHF放大器[J];安全与电磁兼容;2008年02期
8 张波;邓小川;张有润;李肇基;;宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望[J];中国电子科学研究院学报;2009年02期
9 ;以碳化硅做衬底的蓝色二极管脉冲激光器[J];光电子技术与信息;1997年06期
10 刘延;比钻石还高贵的砂粒[J];知识就是力量;2002年05期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 梁长浩;孟国文;吴玉程;张庶元;张立德;;准一维β-SiC纳米丝的制备、表征与物性研究[A];2000年材料科学与工程新进展(上)——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
2 张永华;彭军;;蓝宝石复合衬底上生长的碳化硅薄膜的结构分析[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
3 韩凤兰;吴澜尔;陈宇红;;气流磨尾尘的超细粉碎[A];第七届全国颗粒制备与处理学术暨应用研讨会论文集[C];2004年
4 高积强;;SiC材料应用的现在与未来[A];电子信息产业炉窑技术与材料节能研讨会会议资料[C];2006年
5 杨艳;;化学气相沉积碳化硅[A];第三届全国化学工程与生物化工年会论文摘要集(下)[C];2006年
6 李金望;田杰谟;董利民;;碳化硅前驱体的制备和结构分析[A];第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1998年
7 李金山;桑可正;吕振林;刘林;;颗粒级配SiC-Si复相陶瓷的干摩擦磨损特性[A];第七届全国摩擦学大会会议论文集(一)[C];2002年
8 刘岩;黄政仁;董绍明;杨金晶;江东亮;;孔筋对碳化硅泡沫陶瓷力学性能的影响[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
9 刘淑凤;罗劲松;苗元华;范翊;张培萍;张立功;安立楠;;高能振动球磨法制备纳米SiCp/Al复合材料的研究[A];2004年材料科学与工程新进展[C];2004年
10 马奇;郭兴忠;杨辉;傅培鑫;高黎华;李祥云;李志强;;喷雾造粒对固相烧结SiC陶瓷的影响[A];中国硅酸盐学会陶瓷分会2006学术年会论文专辑(上)[C];2006年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 特约记者 宁晓霞;CPU耐高温时代来临[N];电脑报;2004年
2 刘一梅;我碳化硅纳米材料研究受国际关注[N];中国化工报;2007年
3 手心;碳化硅轴承应用技术[N];广东建设报;2007年
4 本报记者 薛景照;碳化硅:2003年出口配额招标结束[N];中国高新技术产业导报;2002年
5 记者 李新安 通讯员 姜辉 杜松梅;伊犁碳化硅产品出口日韩[N];伊犁日报(汉);2006年
6 周杰伦;复合碳化硅质窑炉烧嘴制作的工艺流程[N];广东建设报;2002年
7 肖开金;乌鲁木齐力源碳化硅公司挂牌[N];中国矿业报;2004年
8 记者 张庆华 通讯员 苏伟;伊能大结晶绿硅产品出炉[N];伊犁日报(汉);2008年
9 青文;青海省呼吁完善出口碳化硅招标管理办法[N];国际经贸消息;2001年
10 记者 吕晓明;“华威碳化硅”科技挖潜增效益[N];牡丹江日报;2009年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 朱教群;三元层状碳化物Ti_3SiC_2的制备及性能研究[D];武汉理工大学;2003年
2 孟永强;双重加热法合成碳化硅晶片的研究[D];中国地质大学(北京);2008年
3 陈玉峰;碳化硅/炭黑水基料浆凝胶注模成型的研究[D];中国建筑材料科学研究院;2003年
4 杨林安;4H碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管的模型及工艺研究[D];西安电子科技大学;2003年
5 邹优鸣;宽带隙半导体ZnO(及SiC)薄膜的制备及其物性研究[D];中国科学技术大学;2006年
6 郭辉;SiC器件欧姆接触的理论和实验研究[D];西安电子科技大学;2007年
7 郜锦侠;4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究[D];西安电子科技大学;2005年
8 陈征;Si基SiC薄膜和低维SiO_2的生长及其光致发光机理研究[D];中国科学技术大学;2007年
9 邓锐;宽带隙半导体(ZnO,SiC)材料的制备及其光电性能研究[D];中国科学技术大学;2008年
10 吕红亮;4H-SiC MESFET理论模型与实验研究[D];西安电子科技大学;2007年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 杭联茂;烧结炭化硅晶体的制备、结构及光致发光特性[D];西安理工大学;2001年
2 邓太平;太阳能多晶硅锭中夹杂的分布特性及其成因[D];南昌大学;2007年
3 刘海林;反应烧结碳化硅凝胶注模成型工艺及烧结体性能研究[D];中国建筑材料科学研究院;2004年
4 陈雪萌;用LPCVD法在硅衬底上生长3C-Sic[D];西安理工大学;2002年
5 李改叶;AL_2O_3-SiC复合材料结构与性能的研究[D];武汉科技大学;2004年
6 辛峰;碳化硅非线性电阻灭磁系统在线监测研究[D];华北电力大学(北京);2010年
7 程小强;多晶硅源漏SiC N-MOSFET关键技术研究[D];西安电子科技大学;2007年
8 张明亮;硅系合金生产中SiC的生成及其对炉内反应的影响[D];内蒙古科技大学;2007年
9 郑勇;高比表面积碳化硅的合成及在氨合成反应的应用[D];福建师范大学;2007年
10 常远程;碳化硅肖特基势垒二极管静态特性的研究[D];西安电子科技大学;2001年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026