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《西安理工大学》 2006年
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GaAs材料光电导开关器件模拟

徐雪刚  
【摘要】: 用半导体光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches,简称PCSS’s)产生的超短电磁脉冲可应用于雷达、通信、THZ成像等技术领域。与传统开关相比,PCSS’s具有开关速度快、触发无晃动、寄生电感电容小、高重复频率、结构简单紧凑等特点。 在触发光脉冲一定的情况下,半导体光电导开关中的载流子在开关里面的输运情况从根本上决定了所输出的电脉冲的波形,而影响载流子的输运的因素除了材料本身的能带结构,还有半导体光电导开关中的电场(包括偏置电场、光电导开关内的光生载流子的空间瞬态分布所形成的空间电荷电场)、散射机制等。目前对于半导体光电导开关的理论研究还有有待完善的地方,因此对其的理论分析和模拟论证是有现实意义的。 本论文的主要工作是采用Monte Carlo方法,并结合GaAs材料光电导开关的物理模型和机制,对PCSS’s某些器件特性进行了计算机模拟,并得到了不同的IDP(谷间形变势)下X带电子散射比例与电场强度的关系曲线、电子占有率与电场强度大小的关系曲线以及漂移速度和电场强度的变化曲线。同时用PSIPCE对线性工作模式下的GaAs材料光电导开关进行了电路模拟,得到了模拟时间与负载电压的关系曲线。
【学位授予单位】:西安理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:TM564

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