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《西安电子科技大学》 2011年
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Ka波段I/Q调制器的研究

侯学智  
【摘要】:异质结双极晶体管(HBT)是毫米波、微波应用领域中最重要的器件之一,其中砷化镓(GaAs) HBT具有更好的高频特性、绝缘性能以及更高的电流增益。 本文主要对基于GaAs HBT器件Ka波段的I/Q调制器进行了研究。 首先对Ka频段基于吉尔伯特单元混频器结构的I/Q调制器完成了简单的设计以及仿真,其中本振抑制度为27.7dB左右,边带抑制度为26.6dB左右。 本文的主要工作,完成了Ka频段基于GaAs HBT器件的模拟反射型I/Q矢量调制电路的设计以及仿真。其中包括对冷模HBT器件在不同偏置条件下器件特性的变化、Ka频段的Lange耦合器、Ka频段的威尔金森功率分配器以及对I/Q调制中的BPSK调制器和QPSK调制器都进行了详细的设计和分析。本矢量调制器的载波抑制大约为25.6dB,边带抑制大约为27dB。 本文最后在I/Q矢量调制电路基础上进一步提出了一种新的电路结构,通过对原有电路结构的改进在不影响电路功能的前提下节省了大量的芯片面积,从而节省了制作成本。
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN761

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