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《西安电子科技大学》 2011年
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新型阵列式发光二极管的关键工艺研究

李坤  
【摘要】:本文基于创新设计的阵列式LED结构,完成了器件的版图设计和绘制,通过对实验潜在的问题的分析提出了总实验方案。主要研究结果如下: 1、设计了一种新型阵列式LED器件,其主要功能是通过行线和列线的驱动可以使得行线和列线交叉处的每一个LED小单元单独发光。 2、本研究将构成此发光二极管阵列的多个发光二极管单元,以半导体工艺制作于同一衬底上,从而缩小了整个发光二极管阵列的尺寸和节省了发光二极管阵列的制作成本。 3、以二氧化硅做掩膜,通过连续刻蚀的方式实现深宽比较大的隔离槽的刻蚀,采用台阶仪、SEM等进行分析,保证隔离槽刻蚀到蓝宝石之上,使得各个发光二极管单元之间实现电学隔离,减少了漏电现象的发生。 4、在具备倒装工艺的条件下,描述了倒装阵列式发光二极管器件的制作流程,并且给出了Si基板上的金凸点图形。 5、在不具备倒装工艺的条件下,为了采用正装的方式完成器件的测试,避免P电极塌陷造成P电极和N电极短路,给出了光刻胶桥、混合桥和二氧化硅桥的实验过程,并且对各个制作方案可行性进行了分析,给出剥离法实现二氧化硅桥这一推荐工艺。 结果表明本文的倒装实现方法不但缩小了尺寸、节省了成本,而且使得器件散热性、发光效率和均一性均有所提高。正装实验方法亦给出了多种介质桥制作方案,为此类器件的制作提供了广阔的思路,并且给出了推荐工艺。该技术可应用于微显示器件,并且可扩展应用于紫外探测器。
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN312.8

【参考文献】
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