收藏本站
《西安电子科技大学》 2013年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

SiO_2薄膜的PECVD生长研究

冯兴联  
【摘要】:氧化硅薄膜因其具有硬度和熔点高、抗磨耐腐蚀、膜层牢固、且绝缘性和稳定性好等优点而被作为绝缘介质层,在半导体Si工艺和GaAs工艺等微电子、光电子器件制作中有着非常广泛的应用。磁控溅射法、热氧化法、凝胶-溶胶法液、液相沉积和化学气相沉积等方法都可以被用来制备氧化硅薄膜。本论文结合公司现有的工艺设备条件,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)方法,利用英国牛津公司的plasma lab80plus PECVD设备对用于激光器掩蔽膜和绝缘膜的氧化硅薄膜沉积工艺进行了研究。 论文首先简要介绍了常见氧化硅薄膜制备方法,重点分析了PECVD法制备氧化硅薄膜的基本原理,在此基础上采用PECVD技术对氧化硅的制备工艺进行了探索,通过改变反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强和淀积时间等工艺参数,研究了沉积工艺条件对氧化硅薄膜生长速率、氧化硅薄膜折射率、薄膜厚度、表面形貌和粘附性的影响,结合样品的表征,得到了适合用于激光器掩膜氧化硅薄膜的优化工艺条件。
【学位授予单位】:

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 王世锋;张晓丹;赵颖;魏长春;许盛之;孙建;耿新华;;Effects of modulation frequency on the structure and electrical characteristics of μc-Si:H films prepared by pulsed VHF-PECVD[J];Optoelectronics Letters;2009年03期
2 俞诚;PECVD SiO-SiN双重结构两次钝化[J];半导体技术;1984年03期
3 ;卧式热壁型PECVD设备[J];中国集成电路;2007年07期
4 ;High rate deposition of microcrystalline silicon films by high-pressure radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)[J];Science in China(Series E:Technological Sciences);2008年04期
5 陈英男;郑旭东;张健;赵文平;姜崴;;浅谈单腔PECVD设备[J];科技信息;2012年34期
6 等离子体淀积课题组;多室连续式PECVD装置[J];微细加工技术;1989年02期
7 ;Characteristics of Amorphous Silicon Nitride Films Deposited by LF-PECVD from SiH_4/N_2[J];Semiconductor Photonics and Technology;2009年03期
8 曾天亮,陈平,江志庚,李志彭;PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用[J];半导体学报;1992年06期
9 陈凤翔,崔容强,孟凡英;PECVD对硅材料的钝化作用[J];太阳能学报;2003年03期
10 宋玲,刘恺,杨彬,陈必雄;生产型管式PECVD设备[J];电子工业专用设备;2005年11期
11 吴晓松;褚学宁;;PECVD装置的有限元分析及结构优化[J];机械设计与制造;2013年07期
12 C. M. Samuelson ,K. M. Mar ,王一谦;PECVD SiN的物理、电学性质与其成份比之间的关系[J];微电子学与计算机;1986年06期
13 俞诚;掺氟低氢PECVD氮化硅新工艺[J];半导体技术;1988年06期
14 俞诚;PECVD Si_xN_y应力的研究[J];微电子技术;1995年05期
15 郑建宇;盛金龙;张上华;;卧式PECVD在太阳能行业的应用[J];电子工业专用设备;2007年09期
16 胡贵华;朱文华;俞涛;王栋;;PECVD热流场数值模拟的可视化研究[J];系统仿真学报;2008年21期
17 杨绪华;孙青;;PECVD SiN 应力特性的研究[J];西安电子科技大学学报;1988年02期
18 李东玲;尚正国;温志渝;王胜强;;PECVD法低温制备二氧化硅薄膜(英文)[J];纳米技术与精密工程;2013年02期
19 郑有炓,江若琏,徐俊明;PECVD SiO_2-InP MIS结构研究[J];固体电子学研究与进展;1987年03期
20 白翔;郭卫;贾彦科;王森涛;王森栋;张欣;;多晶管式PECVD镀膜均匀性的研究[J];企业技术开发;2013年Z2期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 ;SiH Interacting with Si surface and Formation of Hydrogenated Silicon Films:MD study[A];第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会论文集[C];2010年
2 ;Comparative Investigation on Hydrogenated Microcrystalline Silicon Films Deposited with RF-and VHF-PECVD Technique[A];2006年上海电子电镀学术报告会资料汇编[C];2006年
3 ;Modelling of the effects of VHF on silicon film deposition at atmospheric pressure[A];第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集[C];2011年
4 孙振中;刘丰珍;朱美芳;刘金龙;;氩稀释在PECVD高速沉积微晶硅薄膜中的作用[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代[C];2008年
5 王敏花;任丙彦;刘晓平;李彦林;羊建坤;许颖;李海玲;王文静;;射频PECVD沉积优质氢化非晶硅薄膜[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
6 施晨燕;赵宁;赵志伟;雷威;;等离子体加强化学气相沉积法(PECVD)制备石墨薄膜[A];中国真空学会2012学术年会论文摘要集[C];2012年
7 M Uhlig;D Decker;A Lux;M Richter;G Khler;HSchlemm;K Roth;M Grimm;;MAiA-A NEW VERSATILE PECVD/ETCHING TOOL FOR PROCESSING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代[C];2008年
8 李伟东;吴学忠;李圣怡;;PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)[C];2005年
9 杜天敏;黄韬;徐宇新;金锋;;PECVD法制备Si基SiO_x薄膜[A];全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议(OFCIO’2003)论文集[C];2003年
10 Eiji Takahashi;Tsukasa Hayashi;Kiyoshi Ogata;;Large Area and High Speed Deposition of Microcrystalline Silicon Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)[A];TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2005年
中国重要报纸全文数据库 前7条
1 记者 郝晓明;我国首台国产12英寸PECVD样机沈阳出厂[N];科技日报;2011年
2 记者 王靖瑄;首台国产12英寸PECVD样机在沈出厂[N];沈阳日报;2011年
3 沈可心;首台国产12英寸PECVD设备诞生[N];中国化工报;2011年
4 记者 王冠/北京;全球七代线扩厂拉开序幕[N];电子资讯时报;2004年
5 静蓉;AKT第七代PECVD预计明年中出货三星[N];电子资讯时报;2003年
6 记者 叶锋;中国太阳能电池产业化提速在望[N];新华每日电讯;2011年
7 王俊朝;光伏产业带来机会 国产太阳能电池设备成功抢滩[N];中国电子报;2008年
中国博士学位论文全文数据库 前4条
1 蔺增;利用射频PECVD方法生长类金刚石薄膜的实验研究[D];东北大学;2004年
2 陆利新;PECVD非晶硅薄膜制程工艺仿真建模[D];上海大学;2010年
3 杨光敏;碳纳米管、纳米金刚石、空心碳球及其复合物的PECVD制备和特性研究[D];吉林大学;2010年
4 李明;利用rf-PECVD方法在不同基底上制备DLC膜的实验研究[D];东北大学;2008年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 刘洋;平板式PECVD设备布气系统的分析和优化[D];东北大学;2009年
2 杜文强;PECVD设备加热系统分析及优化[D];东北大学;2009年
3 欧衍聪;PECVD制备多层氮化硅减反膜的工艺研究[D];长沙理工大学;2012年
4 姜伟民;PECVD工艺条件对器件合格率的影响及其优化[D];复旦大学;2010年
5 张乾;硅薄膜的PECVD制备及其结构研究[D];河北工业大学;2009年
6 孙钰林;PECVD制备玻璃态SiO_2薄膜技术研究[D];长春理工大学;2009年
7 赵晶晶;非晶硅薄膜太阳能电池材料PECVD关键技术研究[D];合肥工业大学;2010年
8 李刚;PECVD法制备纳米硅薄膜及其研究[D];黑龙江大学;2007年
9 齐立敏;微晶硅薄膜的PECVD制备及性能研究[D];上海师范大学;2012年
10 陈萌炯;RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能研究及其比较[D];浙江大学;2006年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978