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《西安电子科技大学》 2006年
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新技术制备高性能ZnO压敏电阻器的研究

庞驰  
【摘要】:采用化学分步共沉淀工艺,改善了添加剂在ZnO压敏元件中分布的均一性,从而提高了ZnO压敏电阻器的电性能。文章对ZnO压敏电阻器用复合纳米添加剂的化学制备方法、影响因素进行了较为深入的研究,用XRD和TEM等对所制备的纳米添加剂进行了表征,并对ZnO压敏电阻器电性能的影响因素进行了详细的实验和讨论。 实验首先得出:当K+含量小于40ppm时,对压敏陶瓷的电性能几乎没有影响。从而确定了以碳酸钾为沉淀剂在一定pH值时将八种添加剂采用分两步共沉淀的方法制备了复合纳米添加剂。实验还确定最佳的热处理温度在640℃至650℃的范围内。我们将复合纳米添加剂与主原料ZnO在适当的工艺条件下制备了直径为8.5mm、厚度为1.0 mm的压敏元件。最终获得电性能优异的ZnO压敏电阻器。试样的8/20μs通流能力超过了松下96/97样本标准,2ms方波能量耐受能力显著提高,是松下96/97样本标准的两倍多。 本方法突破了传统固相法制备ZnO压敏电阻器的技术框架,采用廉价的无机化学试剂为原料,以碳酸钾为沉淀剂,避免了含氨沉淀剂的氨根离子和金属离子发生络合反应的缺点,解决了化学共沉淀工艺的稳定性难题,易于实现工业化批量生产,具有较大的市场应用前景。
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:TM54

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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【共引文献】
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【同被引文献】
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4 记者 赵伟 通讯员 郑原驰;2008年度全省科技进步奖揭晓[N];长春日报;2008年
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5 马金雪;ZnO超长微米线的制备及光学性质的研究[D];大连理工大学;2011年
6 孙开通;ZnO超长微米线制备及其在压电应力传感器方面的应用[D];大连理工大学;2010年
7 刘淑洁;水热法制备六方柱状ZnO微晶的形貌、结构与光催化性能[D];武汉理工大学;2011年
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