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《兰州大学》 2007年
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PTCDA/p-Si光电探测器的研制及参数优化

胥超  
【摘要】: 苝四甲酸二酐(3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride-PTCDA)是一种红色粉末状的单斜晶系宽带隙有机半导体材料。它是多相芳香族分子复合形成的非聚合物,它的价带和第一紧束缚导带之间的能量是2.2ev,在半导体光电器件的制造中,这种材料具有很好的光电特性,在多色有机发光器件及高效光电探测器中都有广泛应用。本文主要讨论ITO/PTCDA/P-Si/Al光电探测器的研制及特性参数的优化。 本文首先对光电探测器的工作原理和参数进行了阐述;其次给出了PTCDA的材料特性,并且讨论了PTCDA/P-Si势垒的各项电学特性及其在正/反偏压作用下的能带结构。随后,介绍了ITO/PTCDA/P-Si/Al光电探测器的研制过程和原理。最后从以下几个方面对器件特性进行优化:1.利用AFM分析了PTCDA在P-Si上的成膜特性,进而讨论了温度和膜厚对于薄膜表面形貌的影响,同时根据Raman光谱测试结果得到了温度对于PTCDA分子结构的影响;2.由于ITO作为PTCDA有机光电探测器的阳极,采用射频磁控溅射淀积的ITO薄膜的光学和电学性能对制备条件非常敏感,所以讨论了溅射工艺条件对于ITO薄膜特性的影响;3.原来在ITO上引电极单纯采用Al,由于ITO与Al接触会在界面形成氧化铝,增加了接触电阻,影响了器件的性能,所以试验中我们采用了Ni—Al复合电极,比较了两种电极结构的电学特性。
【学位授予单位】:兰州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2007
【分类号】:TN36

【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 刘期斌;日盲型AlGaN基PIN紫外探测器工艺研究[D];电子科技大学;2010年
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前8条
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【共引文献】
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2 胡滨;非制冷红外焦平面CMOS读出电路设计与实现研究[D];电子科技大学;2011年
3 张洋洋;复合热释电材料及阵列基础研究[D];华中科技大学;2012年
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1 郭文其;红外成像探测器模拟器硬件平台设计[D];西安电子科技大学;2011年
2 傅俊威;基于非晶硅薄膜的红外吸收层膜系设计、仿真与实验研究[D];电子科技大学;2011年
3 张杰;红外热成像测温技术及其应用研究[D];电子科技大学;2011年
4 张帆;基于VC++的红外热成像测试系统设计[D];电子科技大学;2011年
5 陈松生;投射式电容触摸屏探究[D];苏州大学;2011年
6 沈晓燕;非致冷红外焦平面阵列CMOS读出电路设计及其仿真[D];南京理工大学;2003年
7 刘士军;双电极对TEACO_2激光器脉冲的偏振编码与解码[D];南京理工大学;2003年
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9 闫文成;热释电红外焦平面阵列非均匀性校正研究[D];南京理工大学;2004年
10 程鹏辉;四象限红外探测器全自动入检系统软件及接口设计与实现[D];华中科技大学;2004年
【同被引文献】
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1 黄烈云;吴琼瑶;赵文伯;叶嗣荣;向勇军;刘小芹;黄绍春;;日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制[J];半导体光电;2007年03期
2 王冲;郝跃;冯倩;郭亮良;;氮化镓干法刻蚀研究进展[J];半导体技术;2006年06期
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1 赵智昊;感应耦合等离子体刻蚀及应用研究[D];华南师范大学;2003年
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【二级参考文献】
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1 曹雷;纳米碳管/稀土酞菁复合材料的制备与光电性能研究[D];浙江大学;2004年
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1 周汉波;电化学方法制备酞菁功能薄膜及其形态调控[D];浙江大学;2004年
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10 张秦菲;目标识别系统中光电探测器频率均衡电路[D];西安电子科技大学;2013年
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