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《兰州大学》 2009年
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Co及CoCr纳米线阵列的结构和磁性的研究

刘文邦  
【摘要】: 本论文首先用二次氧化的方法制备了高度有序的氧化铝模板,然后用交流电化学沉积方法在不同沉积条件下制备了Co,CoCr等磁性金属纳米线阵列。 多孔阳极氧化铝具有自组织生长的高度有序纳米孔阵列结构,并且孔洞垂直膜面、六角有序排列、孔径可控、孔深可调,而且孔密度高,在制备纳米线时可以充当“模具”的作用。本实验用二次氧化法制备了高度有序的孔径为40nm的氧化铝模板。 利用二次氧化法制备的高度有序的氧化铝作为模板用交流电化学沉积的方法在不同沉积条件下制备了Co纳米线阵列。主要研究了外加磁场和调节电解液的pH值对Co纳米线的结构和磁性的影响。pH为6,外加沿纳米线方向0.3T的磁场和不加磁场分别沉积制备Co纳米线,在室温下测量两种样品的磁滞回线发现磁场沉积使平行纳米线方向测得的矫顽力由11000e增加到了18300e。测XRD发现的Co纳米线的织构由(10(?)0)变到了(10(?)1)。pH为6.5,同样两种情况下制备纳米线,测其磁滞回线发现加磁场沉积使平行纳米线方向的矫顽力由15900e增加到了19600e。测XRD发现Co纳米线的织构由(10(?)0)变到了(10(?)1),并且出现了(0002)衍射峰。实验结果表明,外加磁场和电解液的pH值都能影响Co纳米线的定向生长。通过研究不同角度的矫顽力与角度的关系,我们认为Co纳米线反磁化过程为非一致的反磁化过程。 用同样的方法制备了CoCr纳米线阵列,主要研究了沉积时外加磁场和对样品进行热处理对CoCr纳米线阵列的结构和磁性的影响。外加沿纳米线方向0.3T的磁场和不加磁场制备了CoCr纳米线,在室温下测这两种样品在平行和垂直纳米线长度两个方向的矫顽力都没有明显变化,测XRD发现CoCr纳米线无衍射峰为非晶态。为了进一步研究CoCr纳米线,对其在350C°,450C°,550C°,650C°等不同温度下进行了强磁场热处理,不同温度热处理前后磁性都有了较大的变化,矫顽力由未热处理前的12000e增加到了18000e-20000e。
【学位授予单位】:兰州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:TB383.1

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