收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

杂散电感对SiC MOSFET开关过程的影响分析及优化研究

谢宗奎  
【摘要】:碳化硅(SiC)材料与传统的硅(Si)材料相比,在禁带宽度、热导率、熔点和击穿场强等方面具有更明显的优势。同样,Sic功率半导体器件相比于传统的硅(Si)基功率器件在高压、高温、高频方面具有更大的优势,因此SiC功率器件得到了越来越广泛的应用,而在SiC功率半导体器件中SiC MOSFET的发展最为成熟,应用最为广泛。SiC MOSFET相比于同等级的SiMOSFET或SiIGBT,具有更低的导通电阻和开关损耗、更高的开关频率以及更好的高温稳定性。虽然,SiC MOSFET的性能要优于相同电压等级的传统Si基器件,但是由于其芯片杂散电容很小,所以开关速度非常快,在杂散电感的作用下会导致SiC MOSFET在开关过程中承受较大的电气应力,严重时可能会导致器件损坏或失效。所以为了充分发挥出SiC MOSFET的优异性能,需要分析杂散电感对SiC MOSFET开关特性的影响,并对杂散电感做出相应优化。本文依托国家科技部重点研发计划项目“高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的示范应用”,分析了杂散电感对SiC MOSFET开关过程中的影响,并给出其优化方案。本文首先设计并搭建了 SiC MOSFET开关瞬态特性测试系统,并提出了 SiC MOSFET封装电感和续流回路杂散电感的提取方法为后文杂散电感优化提供测量基础。然后通过仿真和实验分析了封装电感和续流回路杂散电感对SiC MOSFET开关瞬态特性的影响,并提出了封装电感和续流回路杂散电感的优化方案。


知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前18条
1 吴昊;黄云辉;李玲;查祎英;杨霏;;SiC MOSFET欧姆接触的研究进展综述[J];智能电网;2017年08期
2 毛鹏;缠潇潇;张卫平;;SiC MOSFET特性分析及驱动电路研究[J];电力电子技术;2017年09期
3 曾正;邵伟华;胡博容;康升扬;廖兴林;李辉;冉立;;基于耦合电感的SiC MOSFET并联主动均流[J];中国电机工程学报;2017年07期
4 史孟;彭咏龙;李亚斌;江涛;;SiC MOSFET体二极管反向恢复特性研究[J];电力科学与工程;2016年09期
5 张凯;罗小蓉;何清源;廖天;杨霏;王嘉铭;方健;;SiC MOSFET三维原胞研究与并联优化[J];智能电网;2017年08期
6 李向奎;秦广涛;黄光政;樊相臣;;三相四线制四桥臂型SiC MOSFET换流器研究[J];电力电子技术;2017年09期
7 方晓敏;黄云龙;;SiC MOSFET磁集成开关电感软开关逆变器研究[J];电力电子技术;2017年09期
8 韩军,柴常春,杨银堂,李跃进;n沟6H-SiC MOSFET阈值电压的温度特性模拟与分析[J];微电子学;2003年06期
9 武晶晶;郭希铮;李志坚;郑建朋;;SiC MOSFET短路保护电路研究[J];电力电子技术;2017年09期
10 柴艳鹏;李亚斌;刘永飞;安国亮;;多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法[J];电力电子技术;2017年09期
11 罗剑波;范伟;彭凯;;SiC MOSFET模块高频吸收电路研究[J];大功率变流技术;2016年05期
12 范春丽;余成龙;龙觉敏;赵朝会;;寄生参数对SiC MOSFET开关特性的影响[J];上海电机学院学报;2015年04期
13 张旭;陈敏;徐德鸿;;SiC MOSFET驱动电路及实验分析[J];电源学报;2013年03期
14 刘仿;肖岚;;SiC MOSFET开关特性及驱动电路的设计[J];电力电子技术;2016年06期
15 秦海鸿;朱梓悦;戴卫力;徐克峰;付大丰;王丹;;寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响[J];南京航空航天大学学报;2017年04期
16 巴腾飞;李艳;梁美;;寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究[J];电工技术学报;2016年13期
17 梁美;郑琼林;李艳;巴腾飞;;用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型[J];电工技术学报;2017年01期
18 董泽政;吴新科;盛况;张军明;;共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究[J];电源学报;2016年04期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 陈希亮;陈文洁;韩亚强;沙意林;祁鹤媛;李翔;;基于SiC MOSFET串联组件的MMC-HVDC系统辅助电源共模干扰的研究[A];2016中国电磁兼容大会论文集[C];2016年
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 李轩;SiC MOSFET开关损耗模型与新结构研究[D];电子科技大学;2017年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 ABUOGO James Opondo;SiC MOSFET开关振荡特性及并联应用器件筛选的研究[D];华北电力大学(北京);2019年
2 谢宗奎;杂散电感对SiC MOSFET开关过程的影响分析及优化研究[D];华北电力大学(北京);2019年
3 王俊杰;SiC MOSFET雪崩耐量若干问题研究[D];浙江大学;2019年
4 曾召松;基于SiC MOSFET三相PWM整流器的设计与控制[D];华中科技大学;2017年
5 武晶晶;SiC MOSFET驱动电路及开关过程振荡问题研究[D];北京交通大学;2018年
6 唐亚超;4H-SiC MOSFET关键工艺开发与器件制作[D];电子科技大学;2016年
7 徐克峰;基于SiC MOSFET的270V直流固态断路器的研制[D];南京航空航天大学;2017年
8 肖洪伟;基于SiC MOSFET的固态直流断路器的设计与实现[D];重庆大学;2017年
9 谢佳季;基于SiC MOSFET的辅助变流器应用研究[D];北京交通大学;2017年
10 刘璐;SiC MOSFET的损耗分析和基于半桥逆变器的应用研究[D];浙江大学;2016年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978