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《广东工业大学》 2006年
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电子元器件的贮存可靠性研究

杨少华  
【摘要】:电子元器件贮存状态下的可靠性,对于“长期贮存,一次使用”的军用电子装备而言,具有重要意义。通过开展电子元器件的长期贮存试验,对其进行考核和评价,使之能为装备可靠性设计提供参考、依据和基础数据,是一项重要的任务。 首先,介绍了贮存状态下环境应力对电子元器件的影响。详细论述了热效应、化学效应、及辐射损伤等对器件的影响。器件内部材料的热不匹配是热应力产生的内因,贮存环境温度变化是外因。化学效应能对器件的外引线、封装、及芯片内部的金属化系统、金-铝接触、内引线等造成腐蚀。 其次,论述了电子元器件两种贮存可靠性评价的方法:自然贮存评价和加速应力评价,同时也详细介绍了本研究的试验方案。根据目前的试验结果,总结了失效率数据,同时也统计分析了器件在贮存期间性能变化,以及不同贮存地区之间非工作可靠性的差异。 第三,研究了电子元器件贮存状态下的失效模式和失效机理。试验结果表明,腐蚀、键合缺陷和贴装失效是造成器件非工作失效的主要原因。并根据试验中暴露的失效模,分析原因、提出了相应的设计改进措施,以提高其固有可靠性。 最后,试验数据的处理以及寿命预测方法的研究一直是本研究的难题,至今国内外没有成熟的方法和标准可以参考,这里借鉴了其他方法在预测上的应用,引入灰色系统理论和BP神经网络模型来处理试验数据,预测其贮存寿命。预测结果表明具有一定的准确性。这在寿命预测方法上进行了新的探索,但是它是建立在数据统计基础上的,应进一步考虑与失效物理模型的相结合。
【学位授予单位】:广东工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:TN606

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【参考文献】
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