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《哈尔滨理工大学》 2008年
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钪系掺杂铌酸锂晶体生长及全息存储性能

郑威  
【摘要】: 采用提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的Sc:Fe:LiNbO_3晶体和Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体。摸索出生长高掺杂和不同锂铌比的掺杂铌酸锂晶体的合适工艺条件,以避免晶体开裂,并降低溶质分凝所引起的晶体成分不均匀性。 通过X-射线粉末衍射结果分析,钪系掺杂铌酸锂晶体在改变掺钪量和Li/Nb比的情况下,没有出现新相,但晶格常数有所改变,表明掺杂离子只能取代Li~+、Nb_(Li)~(4+)或Nb~(5+)。 根据晶体的红外光谱吸收带和紫外可见吸收光谱的吸收边随掺钪量、掺镁量和Li/Nb比变化而发生移动的规律,分析确定杂质Sc在Sc:Fe:LiNbO_3晶体和Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体中的阈值浓度和占位情况。当掺钪量低于阈值浓度时,Sc~(3+)离子优先取代反位铌(Nb_(Li)~(4+),占据Li~+位的Nb~(5+)),而当掺钪量的达到阈值浓度后,所有的反位铌被取代,Sc~(3+)离子将同时进入正常的Li位和铌位。随着Li/Nb的增加,晶体中Sc的阈值浓度浓度逐渐减小。同成分Sc:Fe:LiNbO_3晶体Sc的阈值浓度约为3mol%。在近化学计量比Sc:Fe:LiNbO_3晶体中,Sc的阈值浓度仅有0.3mol%。在Sc和Mg共掺晶体中,Sc比Mg优先达到阈值浓度。而且Sc在Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体中的阈值浓度比在未掺镁的Sc:Fe:LiNbO_3晶体中的更低。在Sc、Mg的掺入量达到各自阈值浓度后,继续增加镁掺量,Sc、Mg的掺入量将达到一个共同的阈值。 采用二波耦合和光斑畸变法分别测试晶体的光折变性能和抗光损伤性能。结果表明,随着掺钪量增加,Sc:Fe:LiNbO_3晶体的衍射效率和动态范围下降,而记录时间和擦除时间缩短,光折变灵敏度增加。对于不同Li/Nb比Sc:Fe:LiNbO_3晶体和Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体,其光折边变性能的变化规律与不同钪掺量的Sc:Fe:LiNbO_3晶体的光折边变性能变化规律是一致的。 在掺钪量达到阈值之后,Sc:Fe:LiNbO_3晶体的抗光损伤能力显著增强,比Fe:LiNbO_3晶体高二个数量级。通过增加Li/Nb比也可提高Sc:Fe:LiNbO_3晶体的抗光损伤能力。对于近化学计量比Sc:Fe:LiNbO_3晶体来说,当钪的掺杂量达到阈值浓度之后,再增加晶体中的掺钪量,反而导致晶体的抗光损伤能力降低。实验发现可通过共掺杂质Mg,使晶体的抗光损伤能力获得进一步提高, 对晶体的全息存储实验结果表明,(5mol%)Sc:Fe:LiNbO_3晶体的读出图象质量明显高于Fe:LiNbO_3晶体和近化学计量比(0.1mol%)Sc:Fe:LiNbO_3晶体,表明晶体的抗光损伤能力的提高可以有效降低全息存储过程中噪音,提高读出图像的质量。掺杂钪和改变晶体中Li/Nb比可有效改善全息存储中缺点,有利于铌酸锂晶体在全息存储方面的实际应用。
【学位授予单位】:哈尔滨理工大学
【学位级别】:博士后
【学位授予年份】:2008
【分类号】:O734;O782

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【参考文献】
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