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《中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)》 2002年
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新型平板显示器件的研究

冯涛  
【摘要】: 本论文主要包括“有机发光器件的薄膜封装”及“碳纳米管场发射显示器的研究”两部分工作。 一、有机发光器件的薄膜封装 在国家八六三计划资助下,我们较系统地研究了FAD方法制备的DLC膜和PECVD制备的氮化硅薄膜的防水汽渗透能力,确定了适合封装OLED器件的最佳工艺参数,最终成功地采用氮化硅薄膜实现了OLED器件的薄膜封装。经过寿命测试发现封装后的器件的寿命比未封装器件提高了两个数量级以上。 二、碳纳米管场发射显示器的研究 在国家自然科学基金的资助下,我们对CNT的场发射性能进行了研究,包括图形化CNT阴极的实现、后处理手段的选择、电子场发射性能的研究、三极管结构的试验及样管的设计和封装。 采用原始的涂敷法制备CNT阴极,并测试了它的场发射性能,结果表明CNT的电子场发射性能全面优于DLC薄膜 采用丝网印刷法实现了阴极的图形化。考察了退火处理工艺和氢等离子体处理对印刷法制备的CNT薄膜场发射性能的影响,发现退火处理可以提高CNT薄膜场发射电流密度,发现氢等离子体处理可以降低CNT薄膜的阈值电场(~1V/μm),大大提高发射点密度(~10~6个/cm~2),使发射点密度达到FED实用化程度。首次发现了CNT的一种新的形貌,我们称之为Nodose Carbon Nanotubes(NCNT),并对发射机制进行了探讨。氢等离子体处理方法对原始的CNT粉末无特殊要求、简单、实用、成本低、可以处理大面积的样品,为丝网印刷法制备的CNT薄膜阴极的实用化解决了一个关键技术问题。 对正栅极和背栅极结构进行了初步的实验,证实了两种结构的可行性,并设计和封装了正栅极结构的无矩阵选址的单色FED样管。
【学位授予单位】:中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2002
【分类号】:TN141

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