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《中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)》 2010年
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MgZn(Ni)O薄膜制备及垂直结构紫外探测器特性研究

赵延民  
【摘要】: 紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。尤其红外探测器用于军事上,如红外告警、红外制导等有重要应用。但近年来由于红外干扰技术的威胁,并且红外探测容易受周围环境影响,红外探测器的虚警率高成为了一个突出的问题。而紫外探测器由于受环境影响很小,探测精度高引起了人们关注。宽带隙半导体材料AlGaN和MgZnO等材料由于直接带隙,且在可见区具有陡峭截止,所以期待一个高精度、高效率的紫外探测器件成为可能。紫外探测器是紫外探测技术的基础,是将紫外光信号转变成电信号的核心器件。半导体紫外光电探测器是紫外探测器中的一种,它是根据内光电效应原理制作的半导体器件。优良材料的选择、合理结构的设计和制作工艺的优化都对半导体紫外光电探测器性能有至关重要影响。本论文通过电子束方法开展了MgZn(Ni)O材料的生长制备研究,进行了垂直结构器件的设计和性能研究,主要研究工作如下: 1. MgO和NiO具有相同晶体结构,因此,MgNiO合金可避免像MgZnO那样存在结构分相问题。我们率先利用电子束方法制备了单一立方相、带隙可调制的MgNiO薄膜,并制作了MSM结构MgNiO紫外探测器原型器件。表明MgNiO合金薄膜是一种适于制备深紫外波段探测器的重要半导体材料。 2.垂直结构肖特基ZnO基紫外探测器的制备可避免ZnO半导体P型掺杂的困难,并可实现单光子探测或阵列应用的ZnO基紫外探测器。本论文设计制备了垂直式ZnO基肖特基结构,进行了相关参数的测量,均获得了预计的肖特基整流特性,为未来的ZnO基紫外探测器的实际应用打下基础。
【学位授予单位】:中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:O484.1

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【引证文献】
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1 贾辉;非极性GaN基半导体材料的MOCVD生长与探测器研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2012年
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1 李海龙;背入射Au/Zr_xTi_(1-x)O_2/Au肖特基结紫外探测器的研究[D];吉林大学;2013年
【参考文献】
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【共引文献】
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8 高焕方;镁合金环保型化学转化膜制备及其性能研究[D];重庆大学;2011年
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10 吴双红;基于有机小分子材料的光探测器制作及性能研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年
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8 任海勇;纯水液压外啮合齿轮泵的研究[D];昆明理工大学;2010年
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10 陈崇亮;PCVD类金刚石涂层冲击疲劳磨损行为研究[D];江南大学;2011年
【同被引文献】
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1 张军琴;宽禁带半导体MSM结构紫外探测器的研究[D];西安电子科技大学;2009年
2 张海峰;Zr_xTi_(1-x)O_2固溶体基紫外光电探测器的研制[D];吉林大学;2012年
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1 蔡茂世;Mg掺杂AlGaN的MOCVD生长以及表征[D];西安电子科技大学;2011年
2 陈小红;GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备[D];厦门大学;2002年
3 孔祥梓;MSM型TiO_2紫外探测器的研制[D];吉林大学;2007年
4 刘旺;用于紫外探测器的TiO_2纳米管 阵列电极的制备与光电性能研究[D];大连海事大学;2012年
【二级引证文献】
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1 毛志伟;邓凡灵;罗香彬;李志增;石志新;;三自由度搬运机器人运动学分析及仿真[J];南昌大学学报(工科版);2014年01期
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1 杨扬;非极性GaN材料的生长及退火温度研究[D];西安电子科技大学;2013年
【二级参考文献】
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1 李慧蕊;真空紫外微通道板光电倍增管的研制[J];真空科学与技术;1999年05期
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