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《中国科学院研究生院(西安光学精密机械研究所)》 2011年
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1550nm半导体激光雷达成像探测器的研制

胡雅楠  
【摘要】:金属-半导体-金属(Metal-Semi conductor-Metal)光电探测器作为激光雷达成像系统核心器件,具有以下优点:制作工艺简单,便于大规模集成制作面阵探测器。器件本证电容值较小。响应时间在PS量级,噪声小 本文先从MSM-PD光电特性入手,以能带理论为主要理论依据,探讨了该器件的结构特点和基本的光学、电学特性。结合现有的实验手段,主要在以下几个方面开展工作 1.以MSM光探测器能带理论为主要理论依据解释了InGaAs MSM光探测器的基本工作原理; 2.采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在InP衬底上生长高质量的铟镓砷(InGaAs)外延层; 3.根据雷达成像探测器的要求和现有的实验条件,经过光刻、金属蒸镀剥离、SiN淀积、离子刻蚀、金丝键合和切片封装等工艺流程完成响应波长在1550nm的雷达成像探测芯片; 4.完成了器件一些参数的测试,其中包含I-V特性、频率特性、光电混频、成像等。
【学位授予单位】:中国科学院研究生院(西安光学精密机械研究所)
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN958.98

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