光致色变二芳烯的体全息存储特性
【摘要】:体全息存储技术以其冗余度高、并行传输、存储密度高、寻址速度快和具有相关寻址功能等优点成为当前最具潜力的光存储技术,而可重复擦写、非易失性读出的体全息存储技术是这一领域的研究热点。由于合适的存储材料是可擦写体全息存储的关键之一,为此各国都在竞相研究以开发出可实用化的新型材料。其中光致色变二芳烯有机材料以耐疲劳性好、热稳定性高的特点尤为受关注。因此,本文主要以光致色变二芳烯为记录介质,对体全息光栅存储机理、可擦写性能、非易失读出及偏振全息存储等问题进行了研究。主要内容包括:
首先,分析了体全息的擦写次数,信息存储的寿命等性能参数与光致色变二芳烯材料的结构特点之间的关系;从理论上研究了二芳烯材料进行体全息存储时的动态模型和读出时光场与光栅相互作用的动力学过程,由此建立了相关的理论模型,并得到初步的实验验证。
其次,利用有些二芳烯材料具有各向异性的特点,即材料的吸收系数和折射率随激发光的偏振态不同而变化的特性,首次在二芳烯中实现了体全息的偏振复用存储,并设计了正交偏振双通道的体全息存储方案。该设计方案能在记录介质的同一点同时记录和读出两幅独立的图像。它在缩短记录、读出时间的同时提高了体全息存储的密度。此外,该方案还可以和角度复用、圆周复用、散斑移位复用等复用方式联合使用。
最后,针对采用原参考光作读出光进行已存全息图的再现时产生的对已存信息的擦除现象,提出了采用几种可行的解决方案,并进行了理论或实验的分析和验证。
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1 |
唐斌,陶世荃,沈兰荪;使用民用CCD对体全息存储图像分辨率的研究[J];量子电子学报;1998年04期 |
2 |
李伟,谢长生,裴先登;体全息存储技术[J];光学技术;2001年03期 |
3 |
刘国栋,何庆声,李晓春,金洪震,王建岗,邬敏贤,金国藩;光伏电场对大容量体全息存储的影响与抑制[J];中国激光;2003年08期 |
4 |
唐斌,陶世荃,沈兰荪;利用频域外插法改善体全息存储图象的质量[J];北京工业大学学报;1996年04期 |
5 |
黄雄斌,何庆声,王建岗,邬敏贤,金国藩;体全息存储中几种软件降噪方法的综合使用[J];光学技术;2002年06期 |
6 |
杨飞;蔡子亮;;掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究[J];科技信息;2008年33期 |
7 |
覃鸣燕,陶世荃,梁宝来,王肇圻;掺铬KNSBN晶体的全息存储特性[J];激光杂志;2000年04期 |
8 |
胡迪青,谢长生;体全息数据存储系统[J];航空计算技术;2003年04期 |
9 |
杨飞;;Zn:Fe:LiNbO_3晶体体全息存储性能的研究[J];华章;2009年06期 |
10 |
吴非;刘朝斌;谢长生;陈端容;;体全息存储记录通道噪声模型的研究与设计[J];计算机科学;2006年04期 |
11 |
李燕威;高宏峰;;全息光存储系统中交错技术的研究[J];应用激光;2007年06期 |
12 |
刘威;姬广举;陈鹏;王义杰;;体全息存储技术的研究[J];哈尔滨理工大学学报;2008年06期 |
13 |
杨飞;蔡子亮;;Zn:Fe:LiNbO_3晶体体全息存储系统的研究[J];中国科技信息;2009年12期 |
14 |
孟凡伟;赵业权;张学锋;;基于化学计量比Mg:Fe:LiNbO_3的全息存储系统[J];压电与声光;2010年01期 |
15 |
莫阳;王义杰;李子帙;刘成龙;;体全息存储系统及噪声分析[J];哈尔滨理工大学学报;2010年02期 |
16 |
黄雄斌,何庆声,王建岗,邬敏贤,金国藩;体全息存储中SLM和CCD的性能对页内噪声的影响[J];光学技术;2002年06期 |
17 |
商未雄,何庆声,金国藩;盲均衡化在体全息数据存储中的应用[J];光电子.激光;2004年11期 |
18 |
倪永军,余本海,罗东建;体全息光存储高速存储通道设计中的关键技术研究[J];信阳师范学院学报(自然科学版);2005年01期 |
19 |
刘国栋;王建敏;骆守俊;汪胜前;邹道文;;光致聚合材料收缩对谱面全息存储的影响[J];北京理工大学学报;2005年12期 |
20 |
吴非;谢长生;刘朝斌;吴明;;IP网络存储技术在体全息存储中的应用[J];计算机科学;2005年05期 |
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