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微电子器件快速评价新方法的研究

孙大鹏  
【摘要】: 本实验对GaAs MESFET栅Schottky势垒接触及整体器件进行了较为系统和 深入的研究,针对目前常规评价方法不能适应当前微电子器件快速发展的需要而 出现的诸多问题,提出了恒定应力下的温度斜坡法(简称TRM法),动态观察和 分析器件退化全过程,并应用此方法成功给出了实验样品的寿命预测值和失效 率。针对实验过程中出现的,样品的退化机理由一种以上构成,作者提出了权重 的概念,并以此为根据对实验结果做出了合理解释,所得实验数据与常规方法具 有可比性。通过本实验,已经成功摸索出了一种微电子器件快速评价的新方法。


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