LIGA技术高深宽比研究
【摘要】:
本文着眼于LIGA技术高深宽比方面的研究,以提高本实验室用LIGA技术制作微细结构的深宽比为目的,从分析各因素影响深宽比的机理出发,再加以理论设计和实验工艺的优化和改善,分别研究讨论了影响深宽比的几大重要因素:掩模结构和性能、光源光谱和光强、PMMA光刻胶性能、电铸工艺参数等。
文中结合本实验室改换LIGA光源的工程,比较分析了3B1束线和3W1束线的能谱差异,针对3B1束线的特点,通过运用XOP、Origin两个软件设计出两组LIGA掩模:Au-PI掩模和Au-Si掩模。并针对3W1光源中硬X光成分较多、光强和功率密度太高的特点,提出了用Ni吸收膜改善光谱和用X光暂波器法优化光强的方法,同时严格控制和改善PMMA光刻胶的性能,经过反复的计算分析和实验改进后,获得了深宽比高达100的胶结构图形。此外,鉴于电铸时易出现影响高深宽比结构制作的气孔、内应力、厚度不均等问题,相应地采取了控制PH值、进行电解处理、添加活性剂、使用第二阴极,及改善电铸电源等方法来进行调整和控制,取得了金属结构深宽比高达30的结果。最后,我们利用LIGA技术加工的独特优点,以发展其高深宽比技术的实际应用,先后制作了狭缝阵列镍结构微推进器关键部件、薄壁网状多孔镍结构正电子慢化体、微型铜结构换热气和多种材料不同、尺寸各异的过滤介质,还结合利用LIGA技术和微细电火花技术的加工优点,制作出了不锈钢微结构
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1 |
穆启道;曹立新;;光刻技术的发展与光刻胶的应用[J];集成电路应用;2003年06期 |
2 |
沈熙磊;;2010年全球光刻胶销售11.5亿美元未来3年将保持4.7%的年增长率[J];半导体信息;2011年04期 |
3 |
山峰孝,中村洋一,黄子伦;光学曝光用光刻胶的种类及其特性[J];微电子学;1980年02期 |
4 |
微言;光刻胶图形塌陷机理[J];微电子学;1994年04期 |
5 |
潘家立;陶玉柱;;半导体产业微影技术之关键材料——光刻胶[J];集成电路应用;2003年03期 |
6 |
来五星,轩建平,史铁林,杨叔子;微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较[J];半导体技术;2004年11期 |
7 |
武建宏;张嘉祺;;S-RRC中膜厚均一性的实现[J];集成电路应用;2005年01期 |
8 |
姜政,丁桂甫,张永华,倪志萍,毛海平,王志明;叠层光刻胶牺牲层工艺研究[J];微细加工技术;2005年03期 |
9 |
叶枝灿;徐东;王芸;王莉;吴茂松;;基于光刻胶回流特性的平面化工艺[J];微细加工技术;2005年04期 |
10 |
梁倩倩;王惟;谌星伊;董秋静;汤嘉陵;;正性小分子光刻胶的制备探索[J];四川理工学院学报(自然科学版);2006年02期 |
11 |
任智斌;姜会林;付跃刚;张磊;田继文;齐向东;李文昊;;微柱透镜阵列的全息-光刻胶热熔制作技术[J];微细加工技术;2006年04期 |
12 |
王乐;刘力宇;张浩康;樊路嘉;张鲁川;杨勇;黄瑞坤;周昕杰;李栋良;张 平;;紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚(英文)[J];液晶与显示;2007年04期 |
13 |
刘翔;王章涛;崔祥彦;邓振波;邱海军;;液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究[J];真空科学与技术学报;2008年04期 |
14 |
赵晶丽;王惠卿;冯晓国;梁凤超;;凹球面涂布光刻胶均匀性研究[J];应用光学;2009年01期 |
15 |
郑金红;;我国光刻胶的市场现状及发展趋势[J];精细与专用化学品;2009年09期 |
16 |
刘广荣;;我第一条百吨级高档光刻胶生产线投产[J];半导体信息;2009年03期 |
17 |
王怡臻;;浅谈光刻胶[J];记录媒体技术;2010年02期 |
18 |
张洪波;张启生;;不同光刻胶有效曝光量的探讨[J];徐州建筑职业技术学院学报;2011年01期 |
19 |
卢继奎;谷德君;;喷胶工艺中光刻胶热应力分析[J];机械工程师;2012年02期 |
20 |
向东;瞿德刚;牟鹏;王汉;刘楠;;节省光刻胶的超声雾化喷涂工艺雾锥特性研究[J];机械工程学报;2013年07期 |
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