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Cu层厚度和制备条件对Fe_(40)Co_(60)/Cu/Ni自旋阀在不同应力下巨磁电阻的影响

薛亚飞  
【摘要】: 本实验采用离子束溅射的方法,在氧化硅衬底上制备了结构为Ta /Fe40Co60 /Cu/Ni/Ta多层膜.研究了Cu层厚度对多层膜巨磁电阻的影响。实验发现,当Cu层厚度为2.6nm,制备态薄膜GMR值达到1.6%。测量了不同应力下的磁电阻值,发现通过调节Cu层的厚度可以提高Fe40Co60/Cu/Ni自旋阀磁电阻对应力的灵敏度。 在各层厚度不变的情况下,在制备自旋阀的过程中加平行于膜面的外磁场,所制备的自旋阀GMR值达到2.4%。测量了不同应力下的磁电阻值,发现并解释了加外磁场制备的自旋阀磁电阻随应力变化的灵敏度有所升高的现象。 在制备Fe40Co60层和Ni层过程中先后加相互垂直的外磁场可以使制备态薄膜的GMR值增加到2.3%。测量了不同应力下的磁电阻值,发现加相互垂直的外磁场制备的自旋阀磁电阻随应力变化的灵敏度比无外磁场情况下制备的自旋阀磁电阻随应力变化的灵敏度要高。 用磁致伸缩系数较大的TbDyFe材料代替FeCo层制备的自旋阀,通过测量应力和磁电阻的关系发现所制备的自旋阀在不同的应力下磁电阻变化不太明显。


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