收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

碳化硅和若干金属氧化物辐照效应的研究

刘健  
【摘要】:金属氧化物MgO, Al_2O_3, MgAl_2O_4和半导体材料SiC都具有熔点高、强度大、硬度高、耐腐蚀和抗氧化能力强的性能,因而有着广泛的应用。近年来大量对这两类材料的研究却逐渐开始关注其在高能粒子强辐照条件下的行为,因为金属氧化物现在被认为是极有潜力的核技术结构材料,而SiC除了作为重要的核工业结构材料之外,作为半导体材料也一直被作为能在极端条件(如辐射环境)下正常工作的新型半导体材料。本文围绕辐照对这几种材料造成的可能的辐照损伤,对它们的结构、性质和性能在辐照及热退火条件下的变化机理进行了研究,取得了一些阶段性的成果。 我们对几种材料首先进行了Ar离子注入实验,通过X射线衍射、透射吸收谱的分析,我们发现高能离子的轰击在很大程度上对晶格造成了破坏,削弱了反应晶格完整性的X射线衍射峰,并且增加了样品对光的本底吸收。但是辐照并没有大量产生各种典型的晶体缺陷,反映在吸收光谱中没有出现明显的色心吸收峰。加大辐照剂量也没有产生新的现象。 中子辐照实验在几种氧化物晶体中都均匀地产生了色心。如在MgO中,中子辐照产生了大量的阴离子单空位(F~+)、阴离子双空位(F_2)及其它更高阶的缺陷。通过等时退火测试,这些缺陷发生了一系列消长和转型的变化过程,并最终在900℃左右全部消失。实验结果同时还表明,MgO透射吸收谱中位于573 nm的色心吸收峰产生自与位于424、451nm的色心吸收峰类型不同的更高阶的阴离子空位聚集态。 通过对SiC中子辐照样品的X衍射谱的分析我们发现:辐照样品在{102}方向的热膨胀系数比辐照前明显减小,同时样品晶格有序度随着退火温度的变化呈良好的线性关系。


知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 陈小文,白新德,薛祥义;辐照损伤对锆合金电化学性能的影响[J];稀有金属材料与工程;2003年05期
2 刘键,王佩璇,张灶利;中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究[J];稀有金属;1999年05期
3 李韡;;日本开发出中子辐照环境控制法[J];国外核新闻;2010年02期
4 王苏新,王涛;陶瓷材料的远红外辐射特性及其应用[J];江苏陶瓷;1985年01期
5 庄圭荪,钱银娥,华芝芬;从中子辐照钯中制备无载体~(111)Ag[J];核化学与放射化学;1984年01期
6 黄汉生;;碳化硅作为先进材料的应用与制备[J];化工新型材料;1993年10期
7 孟祥提;中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响[J];核技术;1994年02期
8 王新潮;高频红外碳硫分析仪测定碳化硅中总硫[J];理化检验.化学分册;2003年07期
9 李玉怀;李应征;林月珍;张允刚;;赛隆结合碳化硅陶瓷复合材料的制备[J];山东陶瓷;2006年02期
10 杨平;;碳化硅棒的无损伤试验[J];国外耐火材料;2006年05期
11 李建芸;;碳化硅作铸铁件激冷材料的研究[J];机械管理开发;2007年03期
12 ;碳化硅过滤器干法净化[J];硫酸工业;1972年02期
13 ;棕刚玉碳化硅滑轨砖[J];江苏冶金;1976年02期
14 田桢;选矿机械采用陶瓷衬板可以延长寿命并提高效率[J];非金属矿;1981年01期
15 杨元莉;;挤渗碳化硅缸套[J];中国机械工程;1982年04期
16 余宪海;严立;胡茂横;;柴油机气缸套活塞环摩擦副的试验研究[J];机车车辆工艺;1985年03期
17 朱文彬,王聪;碳化硅预制拱顶中温箱式电阻炉[J];工业加热;1986年06期
18 栗俊;碳化硅在1.5T电弧炉上的应用[J];工业加热;1987年02期
19 陈燕生,康莹,马纪东,刘桂荣,李石岭,高集金;中子辐照区熔(氢)硅单晶中的氢沉淀[J];稀有金属;1987年04期
20 杨一明,刘心慰,杨淑金,陆逸,谭自烈,冯春祥;用聚碳硅烷与聚丙烯共混纤维烧成碳化硅纤维[J];宇航材料工艺;1987年05期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 周丽宏;张崇宏;杨义涛;李炳生;宋银;;退火对离子辐照引起4H-SiC损伤恢复的影响[A];第一届中国核技术及应用研究学术研讨会摘要文集[C];2006年
2 梁长浩;孟国文;吴玉程;张庶元;张立德;;准一维β-SiC纳米丝的制备、表征与物性研究[A];2000年材料科学与工程新进展(上)——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
3 张永华;彭军;;蓝宝石复合衬底上生长的碳化硅薄膜的结构分析[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
4 韩凤兰;吴澜尔;陈宇红;;气流磨尾尘的超细粉碎[A];第七届全国颗粒制备与处理学术暨应用研讨会论文集[C];2004年
5 高积强;;SiC材料应用的现在与未来[A];电子信息产业炉窑技术与材料节能研讨会会议资料[C];2006年
6 杨艳;;化学气相沉积碳化硅[A];第三届全国化学工程与生物化工年会论文摘要集(下)[C];2006年
7 李金望;田杰谟;董利民;;碳化硅前驱体的制备和结构分析[A];第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1998年
8 张招柱;薛群基;沈维长;刘维民;;金属氧化物填充PTFE复合材料的摩擦磨损性能研究[A];第六届全国摩擦学学术会议论文集(上册)[C];1997年
9 李金山;桑可正;吕振林;刘林;;颗粒级配SiC-Si复相陶瓷的干摩擦磨损特性[A];第七届全国摩擦学大会会议论文集(一)[C];2002年
10 刘岩;黄政仁;董绍明;杨金晶;江东亮;;孔筋对碳化硅泡沫陶瓷力学性能的影响[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 刘梅;金属(金属氧化物)/氧化铝纳米复合材料的制备、结构及性能研究[D];吉林大学;2006年
2 张玉文;冷等离子体氢还原金属氧化物的基础研究[D];上海大学;2005年
3 晏成林;溶液法化学合成微纳米结构金属氧化物[D];大连理工大学;2008年
4 张建;δ-A_4Zr_3O_(12)陶瓷材料的离子辐照行为研究[D];兰州大学;2010年
5 苑慧萍;金属氧化物对Pt上CO及甲醇电氧化助催化机理的研究[D];清华大学;2010年
6 张力;离子辐照对材料中扩散行为的长程影响及其机制研究[D];哈尔滨工业大学;2011年
7 朱教群;三元层状碳化物Ti_3SiC_2的制备及性能研究[D];武汉理工大学;2003年
8 施益峰;纳米浇铸法合成有序介孔高温陶瓷材料及金属硫化物、氮化物材料[D];复旦大学;2007年
9 孟永强;双重加热法合成碳化硅晶片的研究[D];中国地质大学(北京);2008年
10 王秀英;功能氧化物/碳纳米管复合材料的制备与性质研究[D];吉林大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 刘健;碳化硅和若干金属氧化物辐照效应的研究[D];天津大学;2005年
2 刘海林;反应烧结碳化硅凝胶注模成型工艺及烧结体性能研究[D];中国建筑材料科学研究院;2004年
3 陈雪萌;用LPCVD法在硅衬底上生长3C-Sic[D];西安理工大学;2002年
4 李改叶;AL_2O_3-SiC复合材料结构与性能的研究[D];武汉科技大学;2004年
5 辛峰;碳化硅非线性电阻灭磁系统在线监测研究[D];华北电力大学(北京);2010年
6 程小强;多晶硅源漏SiC N-MOSFET关键技术研究[D];西安电子科技大学;2007年
7 张明亮;硅系合金生产中SiC的生成及其对炉内反应的影响[D];内蒙古科技大学;2007年
8 郑勇;高比表面积碳化硅的合成及在氨合成反应的应用[D];福建师范大学;2007年
9 常远程;碳化硅肖特基势垒二极管静态特性的研究[D];西安电子科技大学;2001年
10 郜锦侠;碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真[D];西安电子科技大学;2002年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 刘一梅;我碳化硅纳米材料研究受国际关注[N];中国化工报;2007年
2 手心;碳化硅轴承应用技术[N];广东建设报;2007年
3 本报记者 薛景照;碳化硅:2003年出口配额招标结束[N];中国高新技术产业导报;2002年
4 记者 李新安 通讯员 姜辉 杜松梅;伊犁碳化硅产品出口日韩[N];伊犁日报(汉);2006年
5 特约记者 宁晓霞;CPU耐高温时代来临[N];电脑报;2004年
6 周杰伦;复合碳化硅质窑炉烧嘴制作的工艺流程[N];广东建设报;2002年
7 肖开金;乌鲁木齐力源碳化硅公司挂牌[N];中国矿业报;2004年
8 记者 张庆华 通讯员 苏伟;伊能大结晶绿硅产品出炉[N];伊犁日报(汉);2008年
9 青文;青海省呼吁完善出口碳化硅招标管理办法[N];国际经贸消息;2001年
10 记者 吕晓明;“华威碳化硅”科技挖潜增效益[N];牡丹江日报;2009年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978