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InGaAsP/InP多量子阱锁模激光器及其超短脉冲产生的研究

杨鑫会  
【摘要】: 目前,超高速、超长距离和超大容量光纤通信技术是国际上光通信研究的热点和主要方向。高重复频率、超短光脉冲的产生,是实现超高速光时分复用传输、光孤子传输和高速光交换的关键技术之一。InGaAsP/InP多量子阱锁模半导体激光器是一种新型的超短相干脉冲光源,具有脉宽窄,频率啁啾小,重复频率高,输出波长为1.55μm,波长可调谐范围大,结构简单,易于精确控制输出波长,稳定性好等优点。本课题中采用的激光器采用了多量子阱技术、主被动混合锁模机制,并且在实验中已经成功产生了脉宽为2.9ps,时间带宽积为0.43(非常接近高斯波形的变换极限值)的超短光脉冲,是光时分复用系统的一种理想光源。 本课题首先对OTDM系统及锁模半导体做了简单介绍,并在比较中提出多量子阱锁模半导体激光器的优点;第二,对InGaAsP/InP多量子阱锁模半导体激光器及其超短脉冲产生技术进行基础理论研究,并建立起InGaAsP/InP多量子阱锁模半导体激光器的理论模型,为进一步实用化提供实验数据;第三,建立一套InGaAsP/InP多量子阱锁模半导体激光器的实验装置,并对实验数据进行了整理和分析。最后对论文进行总结。


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