β-SiC薄膜制备及特性研究

【摘要】： 本工作采用激光溅射沉积(PLD)和激光辅助热丝化学气相沉积(HFCVD)两种实验技术制备了SiC薄膜，并对薄膜特性进行了研究。用扫描电镜(SEM)，X射线衍射(XRD)，拉曼光谱(Raman)，高分辨透射电镜(HRTEM)，光致发光(PL)等手段，对薄膜形貌，成份，微观结构和薄膜发光特性进行了分析和确定；研究了激光能量，衬底温度等实验参数对SiC薄膜生长的影响，特别是不同沉积温度在薄膜合成中的作用进行了比较系统的研究。在金属诱导一维SiC生长的实验中，我们采用激光溅射铁靶材来获得纳米铁颗粒。纳米铁粒子引入有效得降低了SiC的合成温度，并促使了SiC纳米线的生长。此外，采用HFCVD技术在较低温度下合成了纳米SiC薄膜，并对薄膜进行了的光致发光检测，进一步探讨了样品在室温条件下可见光发射的发光特性。采用HFCVD技术低温氧辅助生长机制合成SiC纳米线，并就SiC纳米线的生长和硅氧化物在SiC纳米线合成中的催化作用进行了分析。