氮化硅薄膜的螺旋波PECVD及其光学特性研究

【摘要】： 本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)方法制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN_x：H)薄膜，系统地研究了不同反应气体配比对薄膜特性的影响，得到了沉积不同组分a-SiN_x：H的典型实验条件。利用椭偏仪，傅立叶红外吸收谱(FTIR)，X射线光电子能谱(XPS)等技术对a-SiN_x：H的结构特性进行了表征与分析，结果表明，采用HWP-CVD技术合理控制实验条件，可得到镶嵌在SiN_x中的纳米Si结构薄膜。在此基础上，通过紫外-可见光谱(UV-VIS)技术，时间分辨光致发光谱技术研究了不同组分的富硅a-SiN_x：H薄膜的光吸收和光辐射特性，得到了材料光致发光衰减和辐射光子能量之间的关系，提出了镶嵌在氮化硅中的纳米硅的发光机制，进而探讨了提高纳米硅薄膜发光效率的有效途径。

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前19条

1	凌绪玉;;PECVD法制备氮化硅薄膜的电学性能研究[J];西南民族大学学报(自然科学版);2013年04期
2	徐衡;林洪春;唐冬;;PECVD工艺中氮化硅薄膜龟裂研究[J];微处理机;2014年04期
3	赵崇友;蔡先武;;PECVD制备氮化硅薄膜的研究[J];半导体光电;2011年02期
4	杨景超;赵钢;邬玉亭;许晓慧;;PECVD氮化硅薄膜内应力试验研究[J];新技术新工艺;2008年01期
5	姜利军,赵润涛,陈翔,王旭洪,盛玫,徐立强;交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究[J];功能材料与器件学报;1999年02期
6	宋江婷;;PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究[J];科技创新导报;2012年32期
7	席彩萍;;催化剂种类对PECVD制备碳纳米管的影响[J];渭南师范学院学报;2011年12期
8	郭靖阳;陈泽祥;;基于PECVD的碳纳米管生长及其场致发射特性[J];真空电子技术;2006年02期
9	;Influence of substrate temperature on the deposition and structural properties of μc-Si:H thin films fabricated with VHF-PECVD[J];Optoelectronics Letters;2005年01期
10	刘雄飞,肖剑荣,简献忠,王金斌,高金定;a-C∶F∶H films prepared by PECVD[J];Transactions of Nonferrous Metals Society of China;2004年03期
11	;Instability of nc-Si: H Films Fabricated by PECVD[J];Semiconductor Photonics and Technology;1999年01期
12	俞诚;掺氟低氢PECVD氮化硅新工艺[J];半导体技术;1988年06期
13	王开,顾泰,孙青,夏立生;PECVD氮氧化硅膜的初始瞬态过程与其特性关系的研究[J];固体电子学研究与进展;1988年04期
14	黄诚;PECVD沉积TiN及其应用[J];热加工工艺;1988年02期
15	刘新明,刘恩科;PECVD氮化硅及其在MIS—IL太阳电池中的应用[J];半导体光电;1988年03期
16	杨绪华;孙青;;PECVD SiN 应力特性的研究[J];西安电子科技大学学报;1988年02期
17	原小杰,毛干如,郭维廉;PECVD技术淀积硅pn结太阳电池的双层抗反射膜[J];半导体技术;1989年04期
18	杨绪华,孙青;PECVD SiO_2薄膜应力特性的研究[J];固体电子学研究与进展;1989年02期
19	等离子体淀积课题组;多室连续式PECVD装置[J];微细加工技术;1989年02期

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前10条

1	刘洪伶;木易;王明月;董婧;苑进社;;PECVD制备N掺杂类金刚石薄膜的光学特性[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代[C];2008年
2	叶小琴;王文静;李艳;励旭东;许颖;周宏余;;PECVD沉积氮化硅薄膜在生长及退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用[A];21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集[C];2003年
3	沈寅;王仁杰;冯春暖;汪钉崇;;PECVD石墨垫使用寿命的改善[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代[C];2008年
4	;SiH Interacting with Si surface and Formation of Hydrogenated Silicon Films:MD study[A];第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会论文集[C];2010年
5	;Modelling of the effects of VHF on silicon film deposition at atmospheric pressure[A];第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集[C];2011年
6	;Comparative Investigation on Hydrogenated Microcrystalline Silicon Films Deposited with RF-and VHF-PECVD Technique[A];2006年上海电子电镀学术报告会资料汇编[C];2006年
7	杨恢东;刘丽娟;黄君凯;;非晶硅/微晶硅过渡区材料的PECVD法制备与特性研究[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代[C];2008年
8	王晓泉;汪雷;席珍强;杨德仁;;PECVD法制备氮化硅减反射膜研究[A];21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集[C];2003年
9	杨莉;陈强;;PECVD法沉积类金刚石膜的研究[A];2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会论文集[C];2008年
10	王庆;巴德纯;徐香坤;徐化冰;;PECVD镀膜机等离子体静电探针诊断[A];2008中国仪器仪表与测控技术进展大会论文集（Ⅰ）[C];2008年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	蔺增;利用射频PECVD方法生长类金刚石薄膜的实验研究[D];东北大学;2004年
2	陆利新;PECVD非晶硅薄膜制程工艺仿真建模[D];上海大学;2010年
3	杨光敏;碳纳米管、纳米金刚石、空心碳球及其复合物的PECVD制备和特性研究[D];吉林大学;2010年
4	饶席;基于PECVD方法构建微流体系统及其催化性能研究[D];东南大学;2016年
5	侯志敏;螺旋波动力学及其控制的格子Boltzmann方法研究[D];华中科技大学;2017年
6	袁国勇;双层可激系统的动力学行为及螺旋波的控制[D];中国工程物理研究院;2005年
7	甘正宁;可激媒质中的螺旋波及其分布式控制[D];兰州大学;2010年
8	陈江星;螺旋波斑图和胶体动力学性质研究[D];浙江大学;2006年
9	李腾超;电场控制下的回卷波和螺旋波[D];浙江大学;2017年
10	张国勇;生态系统中时空动力学行为的研究[D];兰州大学;2010年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	侯海虹;氮化硅薄膜的螺旋波PECVD及其光学特性研究[D];河北大学;2003年
2	姚日英;PECVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究[D];浙江大学;2006年
3	吴尚池;PECVD系统淀积氮化硅工艺优化的实现[D];电子科技大学;2018年
4	路和超;石墨烯的低温PECVD制备及其应用探索研究[D];天津理工大学;2014年
5	伍毅龙;氢对PECVD法制备硅基薄膜沉积速率、膜结构及性能的影响[D];汕头大学;2010年
6	杜娟;PECVD技术制备碳纳米管及其生长参数的研究[D];吉林大学;2006年
7	杨辉辉;PECVD氮化硅薄膜热导率特性的测试与研究[D];电子科技大学;2013年
8	邓其明;PECVD氮化硅薄膜的制备工艺及仿真研究[D];电子科技大学;2010年
9	黄俊;PECVD制备a-SiC:H薄膜及激光退火研究[D];厦门大学;2009年
10	柳聪;PECVD工艺参数及退火对氮化硅薄膜性能的影响[D];电子科技大学;2012年

中国重要报纸全文数据库

前2条

1	记者王冠/北京;全球七代线扩厂拉开序幕[N];电子资讯时报;2004年
2	本报记者张晓鸣;“四新”企业助上海制造升级“智造”[N];文汇报;2014年

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