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垂直磁记录介质薄膜的制备及其晶体结构和磁性研究

杜明辉  
【摘要】:在当今飞速发展的数字化、信息化时代,需要保存和处理大量计算数据或各类多媒体信息,这就要求信息存储介质不但具有高密度、大容量、高速度,而且还要低成本、微型化的特点,产品应保持不断更新。磁记录具有记录密度高、稳定可靠、可反复使用、信息写入与读出速度快等特点,广泛应用于医疗、电子计算技术、军事、航天及日常生活等方面,从而成为当今信息社会必不可少的信息记录方式。 目前,纵向磁记录应用较广,但由于较高的自退磁效应,使高密度记录介质的进一步提高纵向磁记录模式的记录密度是比较困难的。而自退磁效应对于垂直磁记录模式是可以克服的,进而为提高磁记录密度提供了出路。 在垂直磁记录材料中,薄膜材料因为其晶体结构和磁性等方面的优势成为磁记录领域中研究的热点。在薄膜材料中,CoCr合金薄膜尤其是掺杂的薄膜更是成为重中之重。 本文在室温下应用对向靶直流磁控溅射法制备了不同系列C/CoCrTa/X (X=Cr、Ti)样品,采用X射线衍射仪测量了样品的晶体结构,采用振动样品磁强计测量了样品的磁特性。 通过对C/CoCrTa/Ti磁性膜的系统研究,可以看到,薄膜的磁各向异性与合适的基片温度和衬层成分以及衬层厚度密切相关。


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