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表征薄层电阻的Mapping技术研究

赵晓然  
【摘要】:本文介绍了常用的微区电阻测试方法,通过比较各种方法的优劣,选择四探针方法进行研究,分析了常规直线四探针法的基本原理、测准条件、电流量的选择、边缘和厚度的修正以及测量区域的选择。从常规直线四探针法入手,引进了改进的范德堡法,即斜置式四探针法,阐述了该方法优于常规直线四探针法的测量原理及测试条件,然后基于常规直线四探针法和改进的范德堡法,探讨了用于测量薄层电阻率的斜置式方形Rymaszewski四探针法的原理,用该方法测定了4吋圆形硅片的电阻率分布。 从电阻率的统计分布出发,确定了电阻率的分割数和差值,并且选择合适的门槛值,利用模糊数学将电阻率数据归于不同的模糊集,同一模糊集对应相同的电阻率,这样使得电阻率能以一定间隔分布,然后应用MATLAB软件画出电阻率的图形,以构成Mapping图。选取的Mapping图表示方法有:径向图、径向对比图、彩图、灰度图和等值线图。比较各种薄层电阻分布图的表示方法,优选出最理想的表征薄层电阻的Mapping图,即灰度显示,对样品的测试结果进行表示。表征薄层电阻的Mapping图的研究目的在于使薄层电阻分布情况一目了然,提高对测试结果的分析效果。本课题拟以改进原有样机对处理结果的表示方法为目标,改进后的处理结果直观、具体。


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