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CoAg纳米线阵列的制备与性能研究

米颖娟  
【摘要】: 本文利用电化学沉积方法制备了一系列不同形貌和结构的CoAg合金纳米线。直流方法主要研究了CoAg纳米线的生长机理,具体讨论了电流-时间曲线。通过扫描电镜可以看到不同部位的纳米线。在直流沉积中分别给出了在1.2V、1.4V、1.6V、1.8V、2.0V不同电压下的磁滞回线并对其进行了分析,得出随着电压的不同,剩磁比和矫顽力也不同,且电压和剩磁比、矫顽力不是成正比的关系。通过改变电压找出了最好的沉积电压是在1.2V下,并给出了CoAg纳米线的XRD衍射图,通过测量得到了(100)晶面的Co和(111)(202)(311)(222)晶面的Ag及六角结构(202)晶面的CoAg合金相。后又经退火进行处理,发现矫顽力和剩磁比都有所增加。 在交流电压下制备CoAg纳米线的方法中有一个重要的逐步降压过程,这个过程直接影响到后面的沉积过程。在交流沉积中分别研究了不同电压下制备出的一系列的纳米线,通过扫描电子显微镜可以看到纳米线的形貌。振动样品磁强计测出了不同电压下12V、14V、16V、18V、20V的磁滞回线,通过这些磁滞回线说明了这些纳米线都有形状各向异性。纳米线是沿着垂直于模板(平行于纳米线)方向上择优生长的。通过测量得出交流沉积的纳米线最好的磁性是在交流电压为18V/200Hz时得到的,这个电压最有利于交流CoAg的沉积。采用X-射线衍射(XRD)对纳米线不同元素成分进行晶体结构分析,可以分析出(101)晶面的Co和(100)晶面的Ag及四角结构(312)晶面的CoAg合金相。


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