收藏本站
收藏 | 论文排版

二维单层黑磷结构中带间隧穿的研究

吴岩  
【摘要】:本文通过第一性原理计算方法研究了二维单层黑磷(MLBP)的带间隧穿,并结合Wentzen-Krammel-Brillouin (WKB)近似对相关结果给出合理了估计.单层黑磷作为直接带隙半导体材料,已经被用于传统场效应晶体管,并表现出优越的特性.本文选取二维单层黑磷材料构造隧穿结构,利用第一性原理计算方法研究了系统的Zener隧穿效应.通过讨论沿x方向和y方向的带间隧穿,发现y方向的隧穿几乎是禁止的,这充分说明了材料具有显著的各项异性.由于在计算中采用LDA近似,单层黑磷的带隙值低于其实验值.因此,我们采用基于有效质量近似的WKB模型讨论了不同带隙时的Zener隧穿特性,并且与abintio的结果加以比较.我们发现在小偏压范围,WKB近似得到的透射系数大于ab initio得到的结果,随着偏压增加ab initio计算结果反超WKB的结果.我们认为这是由于单带有效质量近似模型忽略了轻空穴态和导带上的态之间的原子特性的不同,这一差异将降低这两种态间的耦合.并且,我们可以得出结论由于带隙计算的误差造成电流密度的高估,通过WKB近似计算的比较,我们可以确定ab initio的计算高估在一个数量以内.


知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 ;复旦大学发现新型二维半导体材料黑磷[J];河南化工;2014年03期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 陈陆峰;武文平;王春明;;黑色金属表面发黑磷化一步法生产工艺[A];2005年上海市电镀与表面精饰学术年会论文集[C];2005年
2 陈琳;;氧化钙对钢铁黑磷化的影响研究[A];2010年全国腐蚀电化学及测试方法学术会议摘要集[C];2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前3条
1 吴岩;二维单层黑磷结构中带间隧穿的研究[D];内蒙古大学;2015年
2 王佳瑛;黑磷光电特性及其异质结器件研究[D];哈尔滨工业大学;2015年
3 应盼;Al/Ag金属薄膜的制备、表征及对C_(60)分子自组装的影响[D];燕山大学;2014年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978