光学势方法研究正电子与H，Na碰撞中电子偶素形成通道

【摘要】：光学模型方法已经被用来研究正电子与原子碰撞中电子偶素形成通道。本文中我们发展了一个动量中间的等价局域的复光学势来描述电子偶素形成这个重排过程(实部表示电子偶素的虚形成,虚部则代表了电子偶素的实形成)。我们利用光学势方法计算了正电子与氢原子低能碰撞(6.8eV-13.0eV)的总电子偶素形成截面及正电子与钠原子中低能碰撞(0.1eV-20.0eV)的电子偶素基态(n=1)和激发态(n=2)的形成截面,并且把光学势方法计算结果分别于相应的实验和其他理论结果进行了比较。同时用光学势方法来表示电子偶素通道和电离通道的作用,我们实施耦合通道光学势方法研究了正电子与氢原子低能碰撞,主截面被报道了而且也与其他理论进行了比较。

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10	赵辉　杨鋆;晶正电子：为LED产业点燃一盏灯[N];宜兴日报;2011年

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