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铜电沉积纳/微米有序阵列生长研究

左桂鸿  
【摘要】: 电沉积法可以制备出常规方法难以实现的亚微米和纳米结构,已经成为调控纳/微米结构的有效方法。本文主要研究了在硅衬底上电沉积具有Cu/Cu_2O纳米颗粒的有序阵列。 总结出形成铜纳/微米有序阵列的两个关键因素: 1.在铜线生长前端表面电子具有均匀分布特征,使得铜线生长前端表面的电势梯度一致,保证铜线以平行的方式连续生长; 2.生长过程消耗的电子和阳离子得到及时补充,在生长界面形成动态平衡。 研究发现铜纳/微米结构阵列的尺度与溶液的浓度相关,通过控制溶液浓度,可调控阵列单元的尺度和间距。采用MATLAB方法模拟了生长前端的电势分布情况。


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