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纳米铜及氧化(亚)铜薄膜的微观结构及性能

张会平  
【摘要】: 通过向化学镀铜溶液中添加十二烷基苯磺酸钠(SDBS),在玻璃表面制备了纳米铜膜,微观结构分析表明铜膜具有明显的(111)织构和较低的表面粗糙度,电阻率随膜厚的增加而下降。利用热氧化法对膜厚为100nm的铜膜进行氧化,氧化温度和时间对薄膜的组成和表面形貌有很明显的影响,特别是在300°C氧化8h后会形成直径10-15nm,长度200-300nm的CuO纳米线。纳米线生长工艺研究表明,适宜形成纳米线的温度范围为300oC-400oC;在350oC时,随氧化时间的延长,纳米线逐渐减少;而在400oC时,几乎没有形成纳米线;且膜厚的增加有利于纳米线的形成;纳米线的形成符合VS机理。通过向电解液中添加不同含量的十六烷三甲基氯化铵(CTAC),在ITO基体上利用恒电位电沉积法制备了不同表面形貌的Cu2O薄膜。结果表明CTAC对于Cu2O薄膜的晶粒尺寸及表面形貌有很明显的影响。


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