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一维SiC纳米线的合成与表征

王峰  
【摘要】: 本篇论文使用直流电弧等离子体的方法,合成出了β-SiC纳米线,并对在实验过程中合成的硅纳米棒,碳纳米管,β-SiC纳米线等做了XRD, SEM, TEM, XPS,能谱等分析手段作了表征和分析,探索并掌握了使用直流电弧方法合成β-SiC的反应条件,最后对β-SiC纳米线的生长机制做了讨论。


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