收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

ZnO薄膜的MOCVD制备及ZnO/Si发光器件研究

李香萍  
【摘要】: 鉴于当前所制备ZnO材料的质量还达不到器件级水平,尤其是p型掺杂问题没有得到很好地解决,以及制作得到的ZnO基发光器件效率过低等问题,本论文围绕MOCVD技术制备ZnO薄膜及其薄膜的相关特性展开深入研究,目的是得到高质量的ZnO外延薄膜及其发光器件。实验结果表明: 利用正交试验设计法辅助优化MOCVD制备ZnO薄膜的生长条件,不仅可以减少实验次数,降低实验成本,还能够较快速的得到薄膜的最佳生长条件。研究还发现,合适温度生长的ZnO缓冲层可以有效地改善薄膜的结晶和发光质量。 在ZnO薄膜的沉积过程中引入光辅助可以有效的改善薄膜的表面形貌、结晶质量和发光质量。适当强度的光辐照条件下还可以制得高阻和弱p型ZnO薄膜。 利用NH_3作为氮(N)掺杂源进行ZnO薄膜制备的过程中,首次发现适当强度的卤钨灯光辅助不仅可以改善薄膜的结晶质量,还有助于提高掺入到薄膜中的N相关受主的活性,实现了p型ZnO薄膜的制备。 首次从实验角度分析得到通过热扩散法制备的磷(P)掺杂ZnO薄膜中,P_(Zn)-2V_(Zn)复合体缺陷是最主要的浅受主,其对ZnO薄膜的p型导电具有重要作用。 首次在室温、电注入条件下测得了n-ZnO/p~+-Si异质结从近紫外、可见光到近红外光波段的电致发光光谱,简要分析了其发光机制。


知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 杜晔平;陈敬超;冯晶;阮进;;Al掺杂纤锌矿ZnO的电子结构研究[J];材料导报;2008年12期
2 沈文娟;王俊;王启元;段垚;曾一平;;MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜(英文)[J];功能材料与器件学报;2006年01期
3 叶志镇,徐伟中,曾昱嘉,江柳,赵炳辉,朱丽萍,吕建国,黄靖云,汪雷,李先杭;MOCVD法制备ZnO同质发光二极管[J];半导体学报;2005年11期
4 蒋向东,张怀武,黄祥成;透明导电半导体ZnO膜的研究[J];应用光学;2002年02期
5 叶志镇;曾昱嘉;卢洋藩;何海平;;ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光[J];中国科技论文在线;2007年05期
6 胡寒梅;邓崇海;张克华;孙梅;;简捷微波合成多角星形氧化锌[J];无机化学学报;2008年03期
7 朱娴;;ZnO材料电子结构的模拟计算与特性分析[J];硅谷;2011年05期
8 李燕;谢娟;邓宏;徐自强;;光子晶体的研究进展[J];材料导报;2006年02期
9 万齐欣;熊志华;刘国栋;李冬梅;江风益;;ZnO本征缺陷的第一性原理计算[J];南昌大学学报(理科版);2008年06期
10 孙宜华;李晨辉;熊惟皓;;ZnO基半导体的研究进展——点缺陷、掺杂及接触[J];材料导报;2008年10期
11 吴彩文;王秀锋;丁书龙;李文;;ZnO表面光伏行为的Kelvin探针表征[J];湘潭大学自然科学学报;2009年02期
12 陈瀚;;ZnO薄膜的制备及应用[J];材料开发与应用;2011年04期
13 李群;王爱星;游泳;潘小青;饶瑞昌;吴雪梅;;铝掺杂对非晶SiO_x薄膜电致发光的影响[J];真空;2006年06期
14 曾宪庭,王豫,王士良,陈洗;Al掺杂对ZnO压敏材料性能影响的研究[J];传感器技术;1992年01期
15 娄向东,沈荷生,沈瑜生;ZnO/SnO_2双层膜的结构及敏感特性研究[J];传感技术学报;1995年02期
16 赵金安,张惠勤;SnO_2/ZnO及ZnO/SnO_2双层膜的气敏性质[J];化学研究;1999年04期
17 王丽军,王小平,张兵临;金刚石薄膜电致发光中的奇异现象[J];真空与低温;1999年04期
18 易贵华,尹洪禹;沉积ZnO膜的MOCVD装置的研制[J];真空;2001年06期
19 徐彭寿,徐彭寿,孙玉明,施朝淑,徐法强,潘海斌,施朝淑;ZnO及其缺陷电子结构对光谱特性的影响[J];红外与毫米波学报;2002年S1期
20 郭广生,郑东华,危晴,郭洪猷;激光蒸凝法制备纳米氧化锌粒子的研究[J];应用激光;2004年03期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 雷芳;王开学;魏霄;陈接胜;;不同形貌ZnO的水热合成及其光电性质研究[A];中国化学会第27届学术年会第10分会场摘要集[C];2010年
2 夏晓川;赵龙;史志峰;;采用MOCVD方法在GaAs/p+Si衬底上生长的ZnO薄膜光学和电学特性[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
3 管和松;李万成;高福斌;吴国光;夏小川;杜国同;;As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
4 江浩;顾锋;李春忠;;水含量对溶剂热合成ZnO微结构的影响[A];中国颗粒学会第六届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会论文集(上)[C];2008年
5 姜斌;王恩信;谢昌建;恽正中;;ZnO材料的导电性研究[A];第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1995年
6 沈伟;彭德全;沈晓丹;;先进无机材料表面的金属化—ZnO薄膜技术[A];全国第六届SMT/SMD学术研讨会论文集[C];2001年
7 沈伟;彭德全;沈晓丹;;先进无机材料表面的金属化——ZnO薄膜技术[A];2001年全国电子电镀年会论文集[C];2001年
8 朱瑞;许宏钧;孙杨慧;张敬民;陈莉;徐军;俞大鹏;;原位观察单根ZnO纳米线同质外延生长[A];第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集(第7分册)[C];2010年
9 万正芬;徐天宁;吴惠桢;原子健;邱东江;;ZnO薄膜光致发光的表面等离子体增强效应[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集(上册)[C];2009年
10 王齐;周大成;邱建备;;稀土掺杂ZnO材料的发光特性研究进展[A];战略性新兴产业的培育和发展——首届云南省科协学术年会论文集[C];2011年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 李香萍;ZnO薄膜的MOCVD制备及ZnO/Si发光器件研究[D];吉林大学;2009年
2 林时胜;ZnO薄膜和纳米线中的施主、受主掺杂研究[D];浙江大学;2010年
3 汤琨;ZnO中的杂质行为与p型掺杂[D];南京大学;2011年
4 隋瑛锐;共掺杂p型ZnO和富氮Zr-N薄膜的制备、性能及表征[D];吉林大学;2010年
5 张晓;ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究[D];南开大学;2010年
6 刘洋;过渡元素掺杂ZnO稀磁半导体的制备及性质研究[D];江苏大学;2011年
7 陈韬;ZnO薄膜的制备及其晶体管性能研究[D];复旦大学;2010年
8 胡懿;氧氩比和氢离子注入对ZnO薄膜微结构及光学性能的影响[D];武汉大学;2010年
9 李兴华;低维纳米复合材料结构物性及ZnO:N中Zn-N定域结构和热稳定性研究[D];东北师范大学;2010年
10 李永峰;ZnO薄膜及其光电子器件中的晶格失配与应力问题研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 郑展;Na掺杂p型ZnO:Na_x薄膜的制备与性能研究[D];浙江大学;2011年
2 李庆伟;垂直ZnO纳米棒阵列的水溶液法可控生长及N掺杂ZnO薄膜的电学机制研究[D];大连理工大学;2010年
3 范晓玲;磁控溅射法制备ZnO薄膜及光电导探测器的研制[D];山东理工大学;2010年
4 锁雅芹;Na-Mg共掺杂ZnO薄膜的结构及光学性质研究[D];兰州大学;2010年
5 谢炜;ZnO与TiO_2的光催化及其光电转换耦合性能的比较[D];武汉理工大学;2010年
6 许露;MOCVD制备Cu掺杂ZnO薄膜及其同质结器件的性质研究[D];大连理工大学;2011年
7 方铉;ZnO一维纳米结构的p型掺杂及同质结发光二极管的制备和物性研究[D];长春理工大学;2009年
8 吕金鹏;Al~(3+)掺杂抗静电改性ZnO颜料制备及其质子辐照效应[D];哈尔滨工业大学;2010年
9 马金雪;ZnO超长微米线的制备及光学性质的研究[D];大连理工大学;2011年
10 孙开通;ZnO超长微米线制备及其在压电应力传感器方面的应用[D];大连理工大学;2010年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 千弼;摩托罗拉挥别半导体 专注通信本业[N];电子资讯时报;2003年
2 李芬芳 DigiTimes;飞利浦半导体事业单飞路更宽广[N];电子资讯时报;2005年
3 中国贸促会驻美国代表处;美半导体制造设备业竞争力很强[N];中国贸易报;2006年
4 蔡绮芝 DigiTimes;三洋电机拟标售半导体事业[N];电子资讯时报;2007年
5 宋丁仪 DigiTimes;传CEC欲收购中芯部分股权并与华虹NEC整合[N];电子资讯时报;2007年
6 记者 仝静海;李铁映一行到我省视察[N];河北日报;2006年
7 贾婧;MIPS科技携手意法半导体公司推动“龙芯”发展[N];科技日报;2007年
8 ;意法半导体与英特尔将组建全新闪存公司[N];人民邮电;2007年
9 宋德松 仲晔;为IT终端巨头提供尖端电子产品[N];天津日报;2007年
10 李清宇;不妨一试“小刀切肉”[N];中国经营报;2006年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978