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MPCVD法制备多晶和单晶金刚石及性质研究

王启亮  
【摘要】: 本文采用MPCVD(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)方法,制备多晶金刚石膜和单晶金刚石。在硅衬底上沉积高质量的自支撑透明金刚石膜,研究了加入氮气和氧气对其性质的影响。在单晶金刚石生长方面,通过加入氮气,在金刚石籽晶上同质外延高速生长大尺寸CVD单晶金刚石,其速率达到了80-100μm/h,比传统方法生长多晶金刚石膜的速率提高了一个数量级;研究了样品托对单晶金刚石生长的影响,氮气和氧气对其生长及性质的影响,以及CVD单晶金刚石内部氮的分布情况。


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