收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

钙钛矿相和后钙钛矿相硅酸铁的第一性原理研究

颜玉梅  
【摘要】: 下地幔主要由(Mg,Fe)SiO3及少量的FeO,Al2O3组成。下地幔与地核的边界处,即地下2740~2890km(D”层)的范围内呈现出与其它壳层完全不同的地震波现象。这一发现引起了地球物理学家的广泛关注,对硅酸盐的研究可以帮助我们更好的理解地球动力学及地球进化的问题,因此一直是近些年研究的热点问题。本文通过第一性原理模拟对钙钛矿和后钙钛矿结构的硅酸铁在高压下的结构、电子性质和弹性性质进行了系统的研究,得到以下创新性成果: (1)从理论上确定了硅酸铁的铁磁态和非铁磁态的物态方程,发现后钙钛矿相硅酸铁的铁磁态能量在各个压力下均比钙钛矿相硅酸铁的铁磁态能量要低。这一结果给出了铁原子更容易在后钙钛矿相中稳定存在的原因。 (2)通过对钙钛矿和后钙钛矿结构硅酸铁弹性性质的研究发现,两种结构在下地幔与地核边界处的压力下都呈现出力学稳定性。对波速的模拟结果表明富含铁的后钙钛矿相硅酸盐有可能是造成超低声速的主要原因。 (3)由压力导致的铁的3d电子能带展宽是造成钙钛矿相硅酸铁磁矩塌陷的主要原因。 (4)沿[001]方向、[010]方向上成共价离子键的硅氧层与成金属键的铁原子层之间的弱耦合分别是造成钙钛矿相和后钙钛矿相硅酸铁沿[001]方向和[010]方向更容易压缩的主要原因。


知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 屈晓田,解光亮,裴建文;烧结条件和Zr掺杂对PZT和PT陶瓷性能的影响[J];山西大学学报(自然科学版);2004年04期
2 黄龙波,李佐宜,卢德新,林更琪;铁电PLZT薄膜的钙钛矿型结构与性能的研究[J];高技术通讯;1995年05期
3 覃宝全,蓝德均,乐夕,肖定全,朱建国;(1-x)PST-xPZT弛豫铁电陶瓷的介电与压电性能研究[J];四川大学学报(自然科学版);2005年S1期
4 董晓伟;金绍维;李爱侠;贺文兰;;烧结温度对多铁Bi_(0.6)La_(0.4)MnO_3陶瓷钙钛矿相的影响[J];安徽大学学报(自然科学版);2010年06期
5 卢朝靖,王世敏,邝安祥,赵建洪,黄桂玉;KTN凝胶薄膜在热退火过程中的焦绿石中间相和钙钛矿稳定相[J];科学通报;1994年09期
6 王震东;赖珍荃;范定寰;张景基;黄奇辉;;PZT铁电薄膜的低温原位生长[J];红外与毫米波学报;2008年03期
7 傅焰峰,李佐宜,林更琪,卢德新;过量PbO对PLZT(14/0/100)薄膜结构和性能的影响[J];人工晶体学报;1996年02期
8 徐家跃,范世(?),孙仁英;0.91Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-0.09PbTi0_3的析晶行为及助溶剂法生长[J];硅酸盐学报;2002年06期
9 李桂英,余萍,肖定全,王欢;一种SOL-GEL制备钛酸锶钡(BST)薄膜新路线的工艺研究[J];四川大学学报(自然科学版);2005年S1期
10 刘洪,蒲朝辉,吴家刚,朱基亮,肖定全,朱建国;退火工艺对PLT薄膜结晶性能的影响[J];四川大学学报(自然科学版);2005年S1期
11 郑成成;成海鸥;高秀华;俞鹏飞;崔斌;;水热前驱体法低温合成Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3(英文)[J];宝鸡文理学院学报(自然科学版);2010年01期
12 马卫东,王世敏,张端明,刘素铃,王新兵,徐启杨,李再光,田虎永;用脉冲准分子激光在P-Si(100)衬底上沉积高取向KTN薄膜[J];科学通报;1998年03期
13 赵丽丽,樊丽娜,田泽,阎军锋,王雪文,张志勇;锶盐对溶胶-凝胶法制备(Sr,Pb)TiO_3纳米晶粉的影响[J];西北大学学报(自然科学版);2004年04期
14 刘少鹏;唐贵德;张晓丽;许力强;齐伟华;陈伟;侯登录;;掺杂量x对锰氧化物La_0.7Sr_(0.3-x)Ag_xMnO_3结合能与Mn~4+离子含量的影响[J];纳米科技;2008年01期
15 朱时珍;向飞;朱满康;刘颖;徐强;;BST铁电薄膜的水基溶胶-凝胶工艺[J];稀有金属材料与工程;2008年S2期
16 薛屏;钙钛矿型催化剂LaMO_3的结构与水汽转化反应的催化活性[J];宁夏大学学报(自然科学版);1993年04期
17 王冲;张约品;王金浩;;PMNT粉体的溶胶-凝胶法制备研究[J];宁波大学学报(理工版);2010年03期
18 高爱梅,林培琰,屠兢,孟明,李全新;含贵金属的BaZrO_3储存NO_x催化剂结构及性能研究[J];化学物理学报;2004年04期
19 杜丕一,隋帅,翁文剑,韩高荣,汪建勋;Mg掺杂PST薄膜的溶胶-凝胶法制备及晶相形成研究[J];物理学报;2005年11期
20 曹林洪;张震;徐光亮;;BaTiO_3改性PZNT91/9晶体的生长工艺研究[J];人工晶体学报;2008年06期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 钟涛;侯育冬;朱满康;许宝春;唐剑兰;刘晶冰;汪浩;严辉;;水热前驱体法制备钙钛矿相Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PNN)[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
2 杨祖培;周欣山;高峰;田长生;张帮劳;;熔盐法制备0.8Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3—0.2PbTiO_3粉末的研究[A];第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1998年
3 郑颖平;高文君;查燕;孙岳明;;聚丙烯酰胺溶胶凝胶法合成ITSOFC用钙钛矿型纳米材料[A];中国化学会第26届学术年会新能源与能源化学分会场论文集[C];2008年
4 张清涛;李艳秋;尚永红;刘少波;;0.9Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.1PbTiO_3功能铁电薄膜的制备及其电性能研究[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)[C];2005年
5 陈晋;邱少君;陈秀丽;周焕福;;改进半化学法制备PMN-PT弛豫铁电陶瓷的电学性能[A];第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2009年
6 邵宗平;盛世善;陈恒荣;李林;潘秀莲;熊国兴;;EDTA络合溶胶—凝胶法制备钙钛矿型复合氧化物粉体的研究[A];第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1998年
7 任志华;闫柏军;刘建华;张家芸;;La_(0.9)Sr_(0.1)(Ga_(1-y)Co_y)_(0.8)Mg_(0.2)O_(3-δ)固体电解质的结构和导电性研究[A];2006年全国冶金物理化学学术会议论文集[C];2006年
8 毕振兴;张之圣;胡明;;射频磁控溅射法分别制备PZT和BST铁电薄膜的分析与比较[A];中国真空学会2006年学术会议论文摘要集[C];2006年
9 徐刚;赵高凌;翁文剑;杜丕一;沈鸽;韩高荣;;锆钛酸铅PbZr_xTi_(1-x)O_3两步沉淀法合成的相形成反应机理[A];《硅酸盐学报》创刊50周年暨中国硅酸盐学会2007年学术年会论文摘要集[C];2007年
10 李杨;黄金水;;D″层过钙钛矿相变对俯冲岩石圈形态影响的数值模拟[A];中国地球物理学会第二十四届年会论文集[C];2008年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 李大纲;高炉渣中有价组分选择性析出与解离[D];东北大学;2005年
2 崔斌;铅系弛豫铁电陶瓷的制备和介电性能的研究[D];西北工业大学;2002年
3 王明玉;含钛高炉熔渣吹炼过程及析出相的研究[D];东北大学;2005年
4 刘少鹏;锰氧化物La_(0.7-x1)Sr_(0.3-x2)MnO_3的自掺杂钙钛矿相中阳离子分布研究[D];河北师范大学;2011年
5 徐刚;锆钛酸铅(PZT)及钛酸镧铋(BLT)的纳米粉体和一维纳米结构的合成、表征及其机理的研究[D];浙江大学;2004年
6 刘子江;下地幔主要矿物的熔化、弹性和热力学特性研究[D];四川大学;2007年
7 何林;高温高压下(Mg,Fe)SiO_3和Al_2O_3的物性研究[D];西南交通大学;2008年
8 王俊明;PbMg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-PbTiO_3铁电薄膜结晶特性及性能[D];哈尔滨工业大学;2009年
9 肖珍;单晶钛酸铅纳米结构的可控制备、掺杂、相变与应用研究[D];浙江大学;2013年
10 单连伟;铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷制备、结构和性能研究[D];哈尔滨理工大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 王志猛;含钛高炉熔渣中钙钛矿相析出长大研究[D];东北大学;2011年
2 王震东;PZT铁电薄膜的磁控溅射低温生长[D];南昌大学;2006年
3 钟海胜;PMN-PT钙钛矿相的合成及弛豫铁电陶瓷的制备[D];武汉理工大学;2003年
4 彭娟;改进的溶胶凝胶法制备铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷研究[D];哈尔滨理工大学;2008年
5 颜玉梅;钙钛矿相和后钙钛矿相硅酸铁的第一性原理研究[D];吉林大学;2009年
6 刘少鹏;A位Ag掺杂和自掺杂对La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3结构、磁性和结合能的影响[D];河北师范大学;2008年
7 钟涛;非醇盐前驱物制备铌酸盐基功能陶瓷和薄膜[D];北京工业大学;2006年
8 赵永林;Bi掺杂PST薄膜的制备及介电可调性能研究[D];浙江大学;2006年
9 高秀华;温度稳定型弛豫铁电陶瓷的制备及介电性能研究[D];西北大学;2006年
10 张晓丽;名义成分为La_(1-x)MnO_3和La_(0.60)Sr_(0.40-x)Cu_xMnO_3的锰氧化物结构和磁性研究[D];河北师范大学;2008年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978