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复合硫化镉双层薄膜的气相与溶液制备方法的比较研究

赵云鹤  
【摘要】: 典型的II–VI化合物硫化镉作为直接带隙半导体材料,显示了良好的发光、非线性光学作用,光吸收、光放大等现象,成为继第一代半导体材料--硅之后的,第二代光电功能材料的代表之一,引起越来越多的科学家的重视和深入研究。近年来,人们用不同的方法制备各种形式的硫化镉,对CdS的形貌、粒径大小、晶体状态等进行控制,对CdS的复合膜和量子效应等进行研究。但CdS的应用主要集中在太阳能电池的制备和光学电子器件等,而硫化镉在常温下禁带宽带为2.45eV,是很好的光控材料,所以本文主要研究了CdS薄膜的光导电特性。 本文设计了且实可行的实验方案,来制备CdS薄膜并测试其性能,采用蒸发法和化学水浴法(CBD)制备CdS,并用最简单的方法测试了光导电性能,使我们直观的看到CdS薄膜所具有的应用价值。 本论文分为四个部分,具体内容如下: 1.介绍CdS的应用价值和研究现状。 2.介绍CdS光导电特性机理和测试原理。 3.设计两种试验方案,分别采用蒸发法和CBD法来制备CdS薄膜,摸索不同条件下薄膜的晶向变化、形貌变化、透过率状态,最终研究哪些条件下可以制备出具有良好的光导电性能的CdS薄膜。 4.制备CdS/Cu2S复合膜,测试性能,与单层膜进行比较。 本文经过大量的实验,在采用CBD法制备CdS薄膜上取的了很好的效果,对溶液浓度、成膜温度、溶液PH值及退火时间都有详尽的比较,摸索出一套完善的制备模式。对CdS薄膜的制备和性能测试都有着很高的参考价值。


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