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垂直腔面发射半导体激光器中的湿法氧化工艺研究

李海军  
【摘要】:湿法氧化工艺是近些年来制作垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的新工艺,与传统工艺相比具有工艺简单、氧化尺寸易于控制并且可以形成强折射率波导限制等特点。 本论文从氧化反应的机理出发,根据理论上较为成型的硅氧化理论模型推导出湿法氧化Al_xGa_(1-x)As的速率方程。并进行了大量的实验,实验数据表明推导出的速率方程基本适用。同时在本论文中对氧化过程中出现的氧化产物收缩、氧化层开裂、多孔结构等现象的产生原因及其对器件性能的影响进行了讨论,并提出新的工艺方法解决这些问题。在此基础上制作出阈值低、发光效率高的VCSEL器件。


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