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ZnO基p/n异质结器件的物性研究

张丁可  
【摘要】:ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,室温下禁带宽度为 3.37 eV,激子束缚能高达 60 meV,具有优良的物理和化学性质,是目前光电子研究领域的热点。由于 ZnO 在电学、光学及声学方面有着潜在的应用,因而实现 ZnO 结型器件获得电注入紫外发光与激光也是人们关注的一个焦点。 本论文针对目前 ZnO 材料研究领域的热点和难点,在 ZnO 基异质结器件的制备和性质研究方面开展了一系列的工作: 详细研究了用电化学自组装方法制备高质量 ZnO 薄膜的过程和得到的样品的结构和光学性质。 用电化学沉积方法制备的氧化亚铜薄膜的结构、表面形貌和光学性质,其中包括薄膜的制备,样品的表征。 利 用 电 化 学 沉 积 的 方 法 在 ITO 衬 底 上 沉 积 ZnO 和 Cu2O 薄 膜 , 构 成Cu2O/ZnO/ITO p-i-n异质结。该异质结有明显的结特性,利用能带图,研究了该异质结的载流子输运特性。 用磁控溅射方法生长 GaN/ZnO p-n 异质结,研究它的电学特性,从能带结构的角度分析实验结果。


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