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高性能Memory BIST设计实例

李文琦  
【摘要】: 随着SoC设计向存储器比例大于逻辑部分比例的方向发展,高质量的存储器测试策略显得尤为重要。存储器内置自测试(BIST)技术以合理的面积开销来对单个嵌入式存储器进行彻底的测试,可提高产品质量及合格率,因此正成为测试嵌入式存储器的标准技术。然而,随着存储器性能的提升,对全速测试(at-speed test)BIST电路的设计提出了越来越高的要求。本文提出了一种基于有限状态机FSM(Finite State Machine)的BIST优化方案。优化后的电路无论在速度和面积开销上都比传统的设计结构获得了显著的性能提升。


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