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场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改进方案

任斌  
【摘要】:半导体的发明是人类在二十世纪最伟大的创举,它不仅提高了生产效率和劳动效率,而且它悄无声息地改变着人类的生活方式和生产,推动着产业的革新。飞兆半导体场截止沟道IGBT是随着IGBT技术的发展和对IGBT更高的运用需求上应运而生,场截止沟道IGBT是公司第三代IGBT,其厚度为73μm,因此在芯片的贴装的时候对其裂片的控制要比其他的芯片要严格的多。本论文首先对场截止沟道IGBT,UV膜进行介绍,然后通过封装工艺制程中的紫外光照射,顶针等方面分析,找出芯片裂片的根本原因,并通过对异种芯片种类的硬度、UV膜照射和顶针设置的实验设计(Design of Experiments),发现问题并提出解决方案,最后通过对各实验设计解决方案的综合分析,提出通过延长紫外光照射时间和使用薄芯片机构方案的方案降低这种芯片0.8%左右的裂片率。本论文的意义在于在不改变现有设备的条件下,通过紫外线照射时长的延长和引入全新的薄芯片机构使贴片工艺更加完善和可靠。


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