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脉冲激光沉积(PLD)法制备NiZn铁氧体多晶薄膜研究

奚小网  
【摘要】: 本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术分别在硅(100)、玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体薄膜,研究了成膜机制和制备高性能NiZn铁氧体薄膜的条件,并分析了薄膜的微观结构、磁性能与沉积过程的关系。通过SEM、XRD、VSM等分析表明:薄膜的主晶相为尖晶石结构,不同基片上薄膜晶粒尺寸均随基片温度升高而增大,但硅基片上薄膜在(400)晶面具有一定的择优取向;薄膜的沉积速率随基片温度升高呈现先增大后下降的趋势,且在玻璃基片上沉积速率随基片温度的变化更为敏感;随着氧压的升高,虽沉积速率逐渐下降,但其磁性能逐步变优;热处理可改善薄膜的磁性能,尤其对较低温度下制备的样品,热处理的作用十分明显;提高基片温度、氧压和热处理对薄膜磁性能的改善有明显作用;外加偏磁场有助于提高室温下制备的薄膜的磁性能。


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