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Ⅱ-Ⅵ族一维半导体纳米材料阵列的制备及其性质的研究

钱学旻  
【摘要】: 本文围绕制备大面积一维纳米半导体材料阵列这一主题,利用水热法和层层沉积法制备了一系列大面积生长的有序阵列,并研究了它们的场发射性能。论文主要有以下几个部分: 1.利用水热法控制生长大面积氧化锌纳米棒阵列。并测量了不同长径比的氧化锌纳米棒阵列的场发射性能,发现在一定范围内增加长径比有助于改善氧化锌纳米棒阵列的场发射性能。 2.利用氧化锌纳米棒阵列作为模板,使用层层沉积的方法制备了氧化锌/硫化铜,氧化锌/硫化铅核壳纳米棒阵列。经过测量伏安特性,显示氧化锌与硫化铜,硫化铅之间形成了PN异质结,并研究了PN异质结的场发射性能。 3.利用氧化锌纳米棒阵列作为模板,使用层层沉积的方法制备了硫化镉纳米管阵列。纳米管的管壁厚度可以通过沉积的次数进行控制。硫化镉纳米管的场发射性能表明管壁厚度是影响纳米管的场发射性能的主要因素。


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