Pb（Zr_（0.95）Ti_（0.05））O_3薄膜的PLD制备及热释电性能的研究

【摘要】： 近年来,铁电薄膜材料由于具有良好的压电、热释电、铁电特性,因此得到了广泛的关注。其中,PZT薄膜由于具有较高的自发极化,相对低的介电损耗和介电常数,而且95/5附近的PZT薄膜又具有丰富的相变,因此使其成为制备非制冷红外探测器首选材料之一。本论文对Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的制备工艺、微结构以及电性能进行了研究。实验采用激光脉冲溅射法(PLD),在Si片上制备Si/YBCO/PZT薄膜,并对薄膜进行快速退火,通过AFM,XRD分析及对其电特性的测试分析,结果表明所制备薄膜具有良好的铁电和热电性,并且通过参数比较,得出了制备具有良好电特性薄膜的一些工艺条件和不同工艺条件对薄膜电特性的影响规律。在优化的条件下制备的PZT薄膜,在30℃～60℃内可获得平均热释电系数2.5×10~(-8)C/cm~2·K,矫顽场20.1kV/cm、自发极化强度115.569μC/cm~2和剩余极化强度43.835μC/cm2,具备良好的热释电特性。

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5	骆珈　那月东;铁电随机存储器专利申请现状分析[N];中国知识产权报;2011年

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