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电针对脑缺血再灌注模型大鼠谷胱甘肽抗氧化系统调节机理的研究

李成  
【摘要】: 目的通过观察电针“百会”、“大椎”穴对大脑中动脉局灶性脑缺血再灌注损伤模型大鼠神经行为学评分及TTC染色的影响,以及测定肝与大脑皮层组织中GSH含量、GSSG浓度、GSH-Px活性及GSH/GSSG的相对比值,评估针刺对大鼠脑缺血再灌注损伤模型的抗氧化作用,以进一步探讨针刺治疗缺血性脑卒中的抗氧应激机制,为临床防治脑血管疾病提供实验依据。 方法将39只清洁级SD雄性大鼠(300士20 g)按随机数字表随机分成3组:假手术组、模型组、电针组,每组13只。采用大脑中动脉局灶性脑缺血再灌注损伤模型,电针“百会”、“大椎”穴(连续波,频率:3Hz,电流强度:1-3mA,电压:1-3V,电针30min),再灌注24h后观察神经行为学评分及TTC染色,并测定各组大鼠肝脏及脑皮层组织中GSH含量、GSSG浓度、GSH-Px活性及GSH/GSSG相对比值,采用SPSS13.0统计软件进行统计分析。 结果1.与假手术组相比,模型组和电针组神经行为学评分皆显著降低(P0.01),而电针后的神经行为学评分较模型组显著升高(P0.01)。2.与假手术组相比,模型组TTC染色缺血侧大脑半球出现明显的白色梗死灶,而电针组白色区域面积较模型组减少。3.与假手术组比较,模型组肝脏及皮层组织的GSH含量显著降低,GSSG浓度显著增高,GSH/GSSG相对比值显著降低,GSH-Px活性显著降低,差异均有极显著性统计学意义(P0.01)。而电针可以使模型大鼠已降低的GSH含量升高,已升高的GSSG浓度下降,提高GSH/GSSG相对比值,升高GSH-Px活性。 结论1.神经行为学评分和TTC染色结果显示电针组的脑损伤明显轻于模型组,表明电针可以减轻缺血再灌注引起的损伤,改善局灶性脑缺血大鼠的神经行为障碍。2.电针可以明显促进缺血再灌注损伤组织已降低的GSH含量升高,已升高的GSSG浓度下降,提高GSH/GSSG相对比值,调节GSH-Px的活性,表明电针可以调整谷胱甘肽抗氧化系统的功能向平衡状态转化。3.针刺具有抗氧化效应,电针“百会”、“大椎”穴可改善脑缺血大鼠引起的神经行为障碍,并可通过纠正脑缺血大鼠肝脏及脑皮层组织中GSH、GSSG的代谢失衡,从而发挥保护脑神经元细胞,调整脑循环,改善缺血神经细胞功能的作用。


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