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深亚微米工艺下的Memory建库技术研究

李星  
【摘要】: 随着超大规模集成电路技术的飞速发展,集成电路技术更新换代的周期越来越短,设计工具的自动化称度也越来越高,而建库技术即成为设计自动化的基础。存储器的高速发展使得其在集成电路设计中举足轻重,其逻辑参数库的提取亦不可或缺,这就使得建库工作者快速提取存储器的逻辑参数成为必要。为了精确而快速地提取存储器逻辑参数,我们迫切需要自动化的软件,尽量减少建库过程中人为的影响因素,从而能够自动而快速地完成存储器的逻辑参数提取和建库工作。 然而,由于存储器单元密集和电路庞大的特点,并且存储器的增大极为迅速,使得用仿真工具直接提取逻辑参数并不现实,存储器的简化迫在眉睫。目前的参数提取测试电路由于和实际电路差别较大,也不能够精确地提取参数。而同时,目前逻辑参数库的更新工作大都是半自动的,需要人为地设计用于提取各种逻辑参数的单元电路的仿真激励波形,不但需要大量的人力物力,耗费大量的时间,而且容易引入人为的误差或错误,从而影响了逻辑参数库的质量。 针对以上问题,本文在研究已有建库技术的基础上,针对存储器的逻辑参数提取提出新的解决方案。参数提取前,在库参数精度受影响可忽略的前提下,对存储器先进行电路简化,使得存储器的提取自动化得以实现。同时,本文提出电压控制电压源的输入信号控制法,精确地反映了实际工作的情况。本文自动生成正确而又简练完备的激励波形,加快了参数提取的速度。


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